西安交通大学王艳丰获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种氢终端金刚石场效应晶体管结构及电子器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223310193U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422516331.2，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种氢终端金刚石场效应晶体管结构及电子器件是由王艳丰;王宏兴;王玮;张明辉;赵浠翔设计研发完成，并于2024-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氢终端金刚石场效应晶体管结构及电子器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及金刚石场效应晶体管技术领域，尤其涉及一种氢终端金刚石场效应晶体管结构，包括金刚石衬底，通过在金刚石衬底上设置凸台，并在凸台两侧设置厚度为0.5～1.5μm的金刚石漂移区，可通过设置不同厚度的金刚石漂移区来调整器件的耐压特性；通过在凸台上设置氮掺杂单晶金刚石层；所述氮掺杂单晶金刚石层和金刚石漂移区上均设有氢终端金刚石层，从而使金刚石漂移区与氢终端金刚石层分为不同层的金刚石结构，因此在进行晶管结构设计时，可通过调整金刚石漂移区厚度来调节器件击穿电场；从而使其满足更高的器件性能的要求。解决现有技术中存在的垂直型场效应晶体管漂移区厚度无法调节，无法满足更高要求的器件性能的问题。
本实用新型一种氢终端金刚石场效应晶体管结构及电子器件在权利要求书中公布了：1.一种氢终端金刚石场效应晶体管结构，其特征在于，包括金刚石衬底（1），所述金刚石衬底（1）上设置有凸台，所述凸台两侧的金刚石衬底（1）上设置有金刚石漂移区（4）；所述凸台上氮掺杂单晶金刚石层（2）；所述氮掺杂单晶金刚石层（2）和沉积金刚石漂移区（4）上均设有氢终端金刚石层（5）；所述沉积氢终端金刚石层（5）上方设置有介质层（7），且介质层（7）包裹氢终端金刚石层（5）与凸台两侧的金刚石衬底（1）连接，所述介质层（7）上设置有栅极（8），其中，所述金刚石漂移区（4）的厚度为0.5～1.5μm。
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