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苏州协晟新材料技术有限公司王璠获国家专利权

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龙图腾网获悉苏州协晟新材料技术有限公司申请的专利一种基于限域微腔内原位高温相变制备超细纳米硅基负极材料及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119170777B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411432851.3,技术领域涉及:H01M4/36;该发明授权一种基于限域微腔内原位高温相变制备超细纳米硅基负极材料及其制备方法是由王璠;周缘;毛宇祥;徐冬春;张力设计研发完成,并于2024-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

一种基于限域微腔内原位高温相变制备超细纳米硅基负极材料及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种基于特定限域微腔内原位高温相变制备超细纳米硅基负极材料及其制备方法。该方法将硅和导电多孔材料在溶剂中混合后砂磨,通过重整造粒形成固体颗粒,并通过包覆处理构建限域微腔。通过瞬态升降温使硅源升华并凝华为10nm以下的微粒,嵌入多孔材料中,实现硅的极致纳米化。此方法有效解决了硅作为锂离子电池负极材料时体积膨胀、导电性低、循环稳定性差等问题,提升了电子传输与循环寿命,简化了工艺,降低了成本,具备良好商业化前景。

本发明授权一种基于限域微腔内原位高温相变制备超细纳米硅基负极材料及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种基于特定限域微腔内原位高温相变制备超细纳米硅基负极材料的方法,其特征在于,包括以下步骤: (1)将硅与导电多孔材料于溶剂中均匀混合并降低其粒径,得混合浆料; (2)将混合浆料进行重整造粒,形成固体微粒; (3)对所得颗粒进行包覆处理,形成具有限域微腔结构的包覆层,以限制硅气化后的扩散范围; (4)将包覆后的产物装载到反应区,迅速升温至硅源的升华温度,使其均匀分布在限域微腔内,并迅速冷却,使硅蒸汽快速凝结为粒径在10nm以下的超细纳米颗粒,嵌入多孔导电材料内部。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人苏州协晟新材料技术有限公司,其通讯地址为:215000 江苏省苏州市高新区邓尉路105号狮山科技馆1207-12室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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