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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利适用于闪存的二维LDPC纠错方法、闪存控制器及存储设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119483612B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411408747.0，技术领域涉及：H03M13/11；该发明授权适用于闪存的二维LDPC纠错方法、闪存控制器及存储设备是由张猛;吴非;李威;桂天炜;李阳羿;谢长生设计研发完成，并于2024-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本适用于闪存的二维LDPC纠错方法、闪存控制器及存储设备在说明书摘要公布了：本发明公开了适用于闪存的二维LDPC纠错方法、闪存控制器及存储设备，属于闪存技术领域，其编码步骤包括：对于闪存页面中的每K个信息比特执行二维LDPC编码后，将所得校验比特存于闪存页面的OOB区域，完成对闪存页面的编码；二维LDPC编码包括：将K个信息比特等分为大小为k的B个信息比特块，将每c个连续的信息比特块作为信息矩阵中的一行，得到r行c列的信息矩阵；对于信息矩阵中的每一行，分别利用第一LDPC码进行编码，生成各行对应的横向校验比特；对于信息矩阵中的每一列，分别利用第二LDPC码进行编码，生成各列对应的纵向校验比特。本发明能够在保证不额外增加冗余空间的前提下，显著降低采用LDPC码的闪存系统的译码延迟。

本发明授权适用于闪存的二维LDPC纠错方法、闪存控制器及存储设备在权利要求书中公布了：1.一种适用于闪存的二维LDPC纠错方法，其特征在于，包括：编码步骤；所述编码步骤包括： 对于闪存页面中的每K个信息比特执行二维LDPC编码后，将所得校验比特存于所述闪存页面的OOB区域，完成对所述闪存页面的编码； 所述二维LDPC编码包括： 构建信息矩阵：将K个信息比特等分为大小为k的B个信息比特块，将每c个连续的信息比特块作为信息矩阵中的一行，得到r行c列的信息矩阵； 横向编码：对于所述信息矩阵中的每一行信息比特块，分别利用第一LDPC码进行编码，生成各行对应的m1个横向校验比特； 纵向编码：对于所述信息矩阵中的每一列信息比特块，分别利用第二LDPC码进行编码，生成各列对应的m2个纵向校验比特； 其中，所述校验比特包括横向校验比特和纵向校验比特；对所述闪存页面编码的码率R≥SinfoSpage，Spage表示闪存页面大小，Sinfo表示闪存页面中信息比特存储区域的大小；K为可整除Sinfo的正整数，且k为可整除K的正整数。

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