同济大学王占山获国家专利权
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龙图腾网获悉同济大学申请的专利基于边缘检测的电子束光刻胶残胶定量分析方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118864413B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410965293.0，技术领域涉及：G06T7/00；该发明授权基于边缘检测的电子束光刻胶残胶定量分析方法及系统是由王占山;朱静远;毛清源设计研发完成，并于2024-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于边缘检测的电子束光刻胶残胶定量分析方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于边缘检测的电子束光刻胶残胶定量分析方法及系统，其中方法通过扫描电子显微镜拍摄曝光、显影后的光刻胶结构，并将扫描电子显微镜拍摄得到的带有光刻胶结构特征的原始图像通过边缘检测算法分割为光刻胶结构区域和被显影区域，并分别计算两个区域的平均灰度，获得结构间残胶定量评价结果。与现有技术相比，本发明将电子束光刻胶结构中的残胶定量化，可以直观地比较不同曝光参数所得到的光刻胶曝光结果，有利于电子束光刻曝光参数的精确控制，更有潜力提高电子束光刻加工的效率和良品率。
本发明授权基于边缘检测的电子束光刻胶残胶定量分析方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于边缘检测的电子束光刻胶残胶定量分析方法，其特征在于，该方法通过扫描电子显微镜拍摄曝光、显影后的光刻胶结构，并将扫描电子显微镜拍摄得到的带有光刻胶结构特征的原始图像通过边缘检测算法分割为光刻胶结构区域和被显影区域，并分别计算两个区域的平均灰度，获得结构间残胶定量评价结果； 所述方法包括以下步骤： 步骤1：准备电子束光刻所用的衬底并进行清洗烘干； 步骤2：在衬底上均匀旋涂所需的电子束光刻胶并按照对应的工艺时间前烘； 步骤3：依照所需光刻胶结构对应的版图，使用电子束光刻装置进行曝光； 步骤4：对曝光后结构按照所用光刻胶对应工艺进行显影、定影； 步骤5：在扫描电子显微镜下拍摄曝光后的光刻胶结构，得到含有光刻胶结构特征的扫描电子显微镜原始图像； 步骤6：采用边缘分割算法分割原始图像的光刻胶结构区域和被显影区域，并分别计算结构中两个区域的平均灰度，以被显影区域的灰度值与光刻胶结构区域的灰度值之比作为定量评价结构间残胶的结果： 记边缘分割后被显影区域的灰度值为G1，光刻胶结构区域的灰度值为G2，则该图像对应区域的残胶量R的计算表达式为：
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