合肥工业大学于永强获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥工业大学申请的专利一种碳化硅纳米空心柱阵列及基于其的日盲紫外探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939261B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310124301.4，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种碳化硅纳米空心柱阵列及基于其的日盲紫外探测器是由于永强;茆书明;崔英豪;陆梦雪;刘佳杨;张浩;孙洋洋设计研发完成，并于2023-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅纳米空心柱阵列及基于其的日盲紫外探测器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅纳米空心柱阵列及基于其的日盲紫外探测器，该碳化硅纳米空心柱阵列是通过两步无掩膜感应耦合等离子刻蚀方法而制成，该探测器的结构为：将碳化硅衬底的上表面刻蚀成碳化硅纳米空心柱阵列，并以Ti3C2Tx薄膜和Ti3AlC2薄膜分别作为肖特基接触电极和欧姆接触电极。本发明所制备的探测器具有高质量的肖特基特性、高性能日盲紫外响应和易制备大面积器件等优点。
本发明授权一种碳化硅纳米空心柱阵列及基于其的日盲紫外探测器在权利要求书中公布了：1.一种基于碳化硅纳米空心柱阵列的日盲紫外探测器，其特征在于： 以N型碳化硅衬底3作为基底，在所述碳化硅衬底的上表面在无掩膜环境下通过ICP刻蚀形成有碳化硅纳米空心柱阵列2；在所述碳化硅纳米空心柱阵列2上旋涂有作为顶电极的Ti3C2T x 薄膜1；在所述碳化硅衬底3的下表面沉积有Ti3AlC2薄膜4；在所述Ti3AlC2薄膜下表面设置有底电极5；其中，所述Ti3C2T x 薄膜与所述碳化硅纳米空心柱阵列形成肖特基结，所述Ti3AlC2薄膜与所述碳化硅衬底3形成欧姆接触； 所述ICP刻蚀分两步进行，每步的工艺条件为： 第一步刻蚀：真空仓压强为5×10-3Pa、SF6的气体流量为60sccm、O2的气体流量为20sccm，ICP源功率为400W，偏压源功率为80W，刻蚀时间为20-35min； 第二步刻蚀：真空仓压强为5×10-3Pa、SF6的气体流量为15sccm、O2的气体流量为15sccm，ICP源功率为200W，偏压源功率为100W，刻蚀时间为10-25min。
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