长江存储科技有限责任公司刘小欣获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及制备方法、存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116156897B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211174501.2，技术领域涉及：H10B43/50；该发明授权三维存储器及制备方法、存储系统是由刘小欣;霍宗亮设计研发完成，并于2022-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器及制备方法、存储系统在说明书摘要公布了：本公开提供了一种三维存储器及制备方法、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，三维存储器包括阵列器件和第一外围器件。阵列器件包括：第一基底、存储堆叠结构和栅线隔离结构。存储堆叠结构设置在第一基底上，包括交替叠置的栅绝缘层和栅极层。栅线隔离结构包括多个导电部和第一绝缘层，多个导电部中的每个导电部穿存储堆叠结构和第一基底，第一绝缘层设置在导电部与栅极层之间，以及相邻的导电部之间。第一外围器件设置在第一基底远离存储堆叠结构的一侧。导电部延伸至第一外围器件，并与第一外围器件电连接。
本发明授权三维存储器及制备方法、存储系统在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器，其特征在于，包括：阵列器件和第一外围器件； 所述阵列器件包括： 第一基底； 存储堆叠结构，设置在所述第一基底上，包括交替叠置的栅绝缘层和栅极层；以及， 栅线隔离结构，包括多个导电部和第一绝缘层，所述多个导电部中的每个导电部贯穿所述存储堆叠结构和所述第一基底，所述第一绝缘层设置在所述每个导电部与所述栅极层之间，以及相邻的导电部之间； 所述第一外围器件设置在所述第一基底远离所述存储堆叠结构的一侧； 所述每个导电部延伸至所述第一外围器件，并与所述第一外围器件电连接。
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