浙江大学杭州国际科创中心皮孝东获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利光电神经突触器件、对应的制备方法和工作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411136B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211145123.5，技术领域涉及：H10F30/282；该发明授权光电神经突触器件、对应的制备方法和工作方法是由皮孝东;开翠红;杨德仁设计研发完成，并于2022-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本光电神经突触器件、对应的制备方法和工作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体工艺，公开了一种光电神经突触器件、对应的制备方法及工作方法，所述光电神经突触器件，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底表面的GaN层，位于所述GaN层表面的AlGaN层，位于所述AlGaN层表面的非晶SiNx层，位于所述非晶SiNx层表面的栅电极，其中GaN层、AlGaN层、非晶SiNx层构成浮栅结构，位于所述AlGaN层表面的源电极和漏电极。本发明引入非晶SiNx层作为电荷存储层，使光生载流子通过异质结极化场分离后进入电荷存储层，从而达到保存光电流的目的，最终获得灵敏度高、可靠性好、记忆时间大于10年的光电神经突触器件。
本发明授权光电神经突触器件、对应的制备方法和工作方法在权利要求书中公布了：1.一种光电神经突触器件，其特征在于，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底表面的GaN层，位于所述GaN层表面的AlGaN层，位于所述AlGaN层表面的非晶SiNx层，位于所述非晶SiNx层表面的栅电极，其中GaN层、AlGaN层、非晶SiNx层构成浮栅结构，位于所述AlGaN层表面的源电极和漏电极。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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