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龙图腾网获悉苏州华勤源微电子科技有限公司申请的专利一种陶瓷复合硅基环行器的制作方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115986350B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211086188.7，技术领域涉及：H01P1/38；该发明授权一种陶瓷复合硅基环行器的制作方法及其应用是由殷敏;周丹;沈健;徐亚龙设计研发完成，并于2022-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种陶瓷复合硅基环行器的制作方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明涉及环行器技术领域，尤其涉及IPCH04B领域，更具体地，涉及一种陶瓷复合硅基环行器的制作方法及其应用。本发明通过深硅刻蚀通孔、制作铁氧体圆片、复合衬底制备、介质桥制作、光刻图形、真空镀膜、光阻剥离、划片分切八个步骤切割得到了陶瓷复合硅基环行器。本发明为通过采用半导体工艺常用的硅片，在每个硅片通孔中间嵌入铁氧体陶瓷圆片，通过特定的粘接材料连接成一个完成的电路衬底基片，再通过半导体薄膜工艺制作出微带环行器，在两种材料连接处采用介质桥金属化技术，以保证电路连接连续性及可靠性，该环行器具有较宽的工作频段，较高的耐功率性，且一致性好，易集成、成本低，非常适合应用于隔离器、双工器、反射放大器等领域。

本发明授权一种陶瓷复合硅基环行器的制作方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种陶瓷复合硅基环行器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、深硅刻蚀通孔：通过深硅刻蚀的方式，在硅片上刻蚀出多个圆形通孔； S2、制作铁氧体圆片：将铁氧体棒材磨到圆形通孔直径，再切出若干个圆薄片后采用研磨抛光，制作出铁氧体圆片； S3、复合衬底制备：将铁氧体圆片分别嵌入通孔内，采用粘接材料将铁氧体圆片镶嵌在硅片中，再将粘接好的硅片和铁氧体圆片装进夹具内，高温烧结即得复合衬底； S4、介质桥制作：在复合衬底上旋涂聚酰亚胺涂料，再用光刻刻蚀工艺制作出聚酰亚胺介质桥； S5、光刻图形：用光刻工艺在聚酰亚胺介质桥表面制作出电路图形； S6、真空镀膜：采用磁控溅射工艺，在有聚酰亚胺介质桥的这面镀膜； S7、光阻剥离：采用lift-off工艺将光阻剥离； S8、划片分切：采用高精密划片机将制作好的复合衬底电路分切成若干个独立的单元器件，即可； 所述粘接材料为改性硅酮胶，所述改性硅酮胶的制备方法为：将硅酮胶和硅油搅拌均匀，加入填料继续搅拌均匀，再加入硅烷偶联剂，继续搅拌20-40min后，即得改性硅酮胶；所述硅酮胶的剪切强度为1.0-2.0MPa，拉伸强度为0.5-1.5MPa；所述硅油选自乙烯基硅油、聚甲基氢硅氧烷、甲基封端硅油、甲基硅油中的一种或多种。

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