江西兆驰半导体有限公司崔思远获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利碳化硅衬底片的加工方法及碳化硅衬底片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458403B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211050310.5，技术领域涉及：H01L21/324；该发明授权碳化硅衬底片的加工方法及碳化硅衬底片是由崔思远;赵元亚;文国昇;金从龙设计研发完成，并于2022-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅衬底片的加工方法及碳化硅衬底片在说明书摘要公布了：本发明涉及碳化硅衬底片加工技术领域，具体公开一种碳化硅衬底片的加工方法及碳化硅衬底片，本发明的加工方法，包括如下步骤：将切割后的碳化硅衬底片根据WARP值和BOW值进行分档，所述分档为将碳化硅衬底片至少分为第一档位及第二档位，所述第一档位的衬底片的WARP值和BOW值小于第二档位的衬底片的WARP值和BOW值；对第二档位的衬底片进行低温退火处理；合并第一档位衬底片及第二档位衬底片，进行高温退火；所述低温退火及高温退火过程中，各衬底片在高度方向上采用间隔排布的放置方式，制得的衬底片WARP值和BOW值修正效果好，整体平整度佳、应力去除效果好，生产良率高。
本发明授权碳化硅衬底片的加工方法及碳化硅衬底片在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅衬底片的加工方法，其特征在于，包括如下步骤： 将切割后的碳化硅衬底片根据WARP值和BOW值进行分档，所述分档为将碳化硅衬底片至少分为第一档位及第二档位，所述第一档位的衬底片的WARP值和BOW值小于第二档位的衬底片的WARP值和BOW值； 对第二档位的衬底片进行低温退火处理； 合并第一档位衬底片及第二档位衬底片，进行高温退火； 所述低温退火的保温温度低于所述高温退火的保温温度；所述低温退火的保温温度为1300～1600℃；所述高温退火的保温温度为1550～1780℃；在同一次的加工过程中，低温退火的保温温度至少低于高温退火的保温温度180℃； 所述低温退火及高温退火过程中，各衬底片在高度方向上采用间隔排布的放置方式。
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