武汉华星光电技术有限公司李治福获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利半导体器件及电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115621324B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211051194.9，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体器件及电子器件是由李治福;刘广辉;戴超;艾飞;宋德伟;罗成志设计研发完成，并于2022-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及电子器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件及电子器件，该半导体器件包括绝缘基底、及设置于绝缘基底上的薄膜晶体管层，薄膜晶体管层包括设置于绝缘基底上的第一有源层、绝缘层以及第二有源层，绝缘层设置于第一有源层和第二有源层之间且覆盖第一有源层；其中，本申请通过设置绝缘层形成有位于第一有源层上的通孔，薄膜晶体管层还包括至少部分位于通孔的侧壁上的第三有源层，第三有源层的一侧与第一有源层连接，第三有源层的另一侧与第二有源层连接，从而减小了沟道长度，降低短沟道效应，提升了开态电流，降低了功耗；并且进一步缩小所述半导体器件所占用面积减小，提高了半导体器件的集成度，有利于开发高PII、高刷新率产品以及实现部分IC功能。
本发明授权半导体器件及电子器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 绝缘基底； 薄膜晶体管层，设置于所述绝缘基底上，所述薄膜晶体管层包括层叠设置于所述绝缘基底上的第一有源层、绝缘层以及第二有源层，所述绝缘层设置于所述第一有源层和所述第二有源层之间且覆盖所述第一有源层； 其中，所述绝缘层形成有位于所述第一有源层上的通孔，所述薄膜晶体管层还包括至少部分位于所述通孔的侧壁上的第三有源层，所述第三有源层的一侧与所述第一有源层连接，所述第三有源层的另一侧与所述第二有源层连接，所述薄膜晶体管层还包括位于所述绝缘层和所述第二有源层之间的阻挡层，至少部分所述阻挡层位于所述通孔内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电技术有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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