武汉华星光电半导体显示技术有限公司柯霖波获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利显示面板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115425030B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211048543.1，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权显示面板及其制备方法是由柯霖波设计研发完成，并于2022-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示面板及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种显示面板及其制备方法；该显示面板通过在过渡区设置底切部，使底切部包括一金属层和一有机层，有机层位于衬底和金属层之间，则在形成底切部时，可以采用物理蚀刻的方式对有机层进行刻蚀，由于物理蚀刻只会对有机层的内壁刻蚀，不会刻蚀掉金属层，则可以得到底切部，公共层可以在底切部断裂，提高显示面板的水氧阻隔能力，且无需进行深孔刻蚀，提高薄膜晶体管的性能。
本发明授权显示面板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种显示面板，其特征在于，包括功能附加区、主显示区和位于所述功能附加区与所述主显示区之间的过渡区；其中，所述显示面板包括： 衬底； 驱动电路层，设置于所述衬底一侧； 发光功能层，包括公共层和像素电极层，所述公共层设置于所述像素电极层远离所述驱动电路层的一侧； 其中，所述驱动电路层包括设置于所述过渡区的底切部，所述底切部包括一金属层和一有机层，所述有机层位于所述衬底和所述金属层之间，所述金属层的横向端在横向方向上比所述有机层的横向端延伸得更远，所述公共层被所述底切部断开； 所述公共层在所述底切部的两侧被所述底切部断开，所述底切部环绕所述功能附加区设置，所述底切部包括多个底切子部，相邻底切子部沿环形方向交错设置。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电半导体显示技术有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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