南京信息工程大学赵见国获国家专利权
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龙图腾网获悉南京信息工程大学申请的专利Pocket结构的Si/Ge异质结围栅隧穿场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115360232B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211018417.1，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权Pocket结构的Si/Ge异质结围栅隧穿场效应晶体管及其制备方法是由赵见国;索博研;徐儒;常建华设计研发完成，并于2022-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本Pocket结构的Si/Ge异质结围栅隧穿场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Pocket结构的SiGe异质结围栅隧穿场效应晶体管及其制备方法，晶体管包括半导体Si衬底，半导体Si衬底上设有P型重掺杂半导体Ge的源区、N型重掺杂半导体Si的漏区和设于源区与漏区之间的STI氧化层；源区和漏区之间设有N型轻掺杂半导体Si的沟道区域和N型重掺杂半导体Si的Pocket区域，源区侧部设有嵌入到Pocket区域的半导体Ge凸起，嵌入的凸起形成GeSi异质结结构；沟道区域和Pocket区域之间设有异质栅电极，异质栅电极的侧部设有侧墙区，沟道区域和Pocket区域的表面设有栅介质层。本发明晶体管具有更高的开态电流、更陡峭的亚阈值摆幅斜率、更强的栅控能力、优秀的射频特性，同时能够抑制双极性电流，改善隧穿场效应晶体管亚阈值特性。
本发明授权Pocket结构的Si/Ge异质结围栅隧穿场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Pocket结构的SiGe异质结围栅隧穿场效应晶体管，其特征在于：晶体管包括半导体Si衬底，半导体Si衬底上设有P型重掺杂半导体Ge的源区、N型重掺杂半导体Si的漏区和设于源区与漏区之间的STI氧化层，所述STI氧化层分别与源区和漏区相连；源区和漏区之间设有N型轻掺杂半导体Si的沟道区域和N型重掺杂半导体Si的Pocket区域，源区侧部设有嵌入到Pocket区域的半导体Ge凸起，嵌入的凸起形成GeSi异质结结构；沟道区域和Pocket区域之间设有异质栅电极，异质栅电极的侧部设有侧墙区，沟道区域和Pocket区域的表面设有栅介质层；所述异质栅电极由两种或三种不同功函数的导电金属构成，异质栅电极所用的金属材料的功函数从源区向漏区逐渐增大，不同金属材料的功函数之间相差不得少于0.1eV。
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