西安微电子技术研究所张娟获国家专利权
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龙图腾网获悉西安微电子技术研究所申请的专利一种抗辐照负载点电源的多基板堆叠结构及其组装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115346974B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210957437.9，技术领域涉及：H10D80/20；该发明授权一种抗辐照负载点电源的多基板堆叠结构及其组装方法是由张娟;张小峰;曹鹏辉;刘家龙;付翀丽;王俊峰设计研发完成，并于2022-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种抗辐照负载点电源的多基板堆叠结构及其组装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抗辐照负载点电源的多基板堆叠结构及其组装方法，堆叠结构包括管壳、AMB陶瓷基板、功率芯片组、控制芯片组和Al2O3厚膜多层陶瓷基板；所述AMB陶瓷基板焊接在管壳上，Al2O3厚膜多层陶瓷基板粘接在AMB陶瓷基板上，所述AMB陶瓷基板与Al2O3厚膜多层陶瓷基板之间通过金属丝键合互联，功率芯片组贴装在AMB陶瓷基板上，控制芯片组贴装在Al2O3厚膜多层陶瓷基板上，盖板与管壳之间采用平行缝焊焊接。通过多基板堆叠结构提高了大负载电流条件下抗辐照负载点电源的组装密度，降低了导带阻抗和基板热阻，提高了负载点电源的功率密度和转换效率。
本发明授权一种抗辐照负载点电源的多基板堆叠结构及其组装方法在权利要求书中公布了：1.一种抗辐照负载点电源的多基板堆叠结构，其特征在于，包括管壳1、AMB陶瓷基板3、功率芯片组、控制芯片组和Al2O3厚膜多层陶瓷基板15； 所述AMB陶瓷基板3焊接在管壳1上，Al2O3厚膜多层陶瓷基板15粘接在AMB陶瓷基板3上，所述AMB陶瓷基板3与Al2O3厚膜多层陶瓷基板15之间通过金属丝键合互联，功率芯片组贴装在AMB陶瓷基板3上，控制芯片组贴装在Al2O3厚膜多层陶瓷基板15上，盖板7与管壳1之间采用平行缝焊焊接。
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