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龙图腾网获悉北京量子信息科学研究院申请的专利真随机数发生器及产生真随机数的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411176B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210951179.3，技术领域涉及：H10N50/80；该发明授权真随机数发生器及产生真随机数的方法是由曹易;王超;任睿智设计研发完成，并于2022-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本真随机数发生器及产生真随机数的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种真随机数发生器及产生真随机数的方法。该真随机数发生器包括随机数发生模块，其包括：导电层，两端分别设有用于通入第一电流的第一电极和第二电极以及并列地设置在导电层上的多个磁隧道结，每个磁隧道结均包括：第一磁性层，位于导电层之上；自旋流抵消层，位于第一磁性层之上；绝缘势垒层，位于自旋流抵消层之上；第二磁性层，位于绝缘势垒层之上；钉扎层，位于第二磁性层之上；其中，每个磁隧道结的钉扎层的远离第二磁性层的一端均设有第三电极，第一电极和第三电极用于通入第二电流。本发明提供的真随机数发生器，集成度高、随机性好和使用寿命长，具有很好的应用前景。

本发明授权真随机数发生器及产生真随机数的方法在权利要求书中公布了：1.一种真随机数发生器，其特征在于，包括随机数发生模块，其中所述随机数发生模块包括： 导电层，两端分别设有第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极用于通入第一电流；以及 多个磁隧道结，并列地设置在所述导电层上； 其中，所述多个磁隧道结中的每个磁隧道结均包括： 第一磁性层，位于所述导电层之上，易磁化方向垂直于所述导电层与所述第一磁性层的交界面，被配置成在所述第一电流的焦耳热作用下，所述第一磁性层的磁矩克服翻转能量势垒向垂直于所述交界面向上或向下的方向随机翻转； 自旋流抵消层，位于所述第一磁性层之上，用于抵消所述导电层与所述第一磁性层的交界面上产生的自旋流对所述第一磁性层的磁矩产生的自旋轨道矩； 绝缘势垒层，位于所述自旋流抵消层之上； 第二磁性层，位于所述绝缘势垒层之上，易磁化方向垂直于所述绝缘势垒层与所述第二磁性层的交界面；以及 钉扎层，位于所述第二磁性层之上，用于固定所述第二磁性层的磁矩方向； 其中，所述多个磁隧道结中的每个磁隧道结的所述钉扎层远离所述第二磁性层的一端均设有第三电极，所述第一电极和所述第三电极用于通入第二电流。

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