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龙图腾网获悉合肥工业大学;合肥工业大学智能制造技术研究院申请的专利基于激基复合物的多量子阱结构改善OLED器件性能的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295747B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210908624.8，技术领域涉及：H10K85/60；该发明授权基于激基复合物的多量子阱结构改善OLED器件性能的方法是由胡俊涛;王玉乐;韩超磊;黄叶;蒋浩;罗派峰;方勇设计研发完成，并于2022-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于激基复合物的多量子阱结构改善OLED器件性能的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于激基复合物的多量子阱结构改善OLED器件性能的方法，通过在fac‑Irppy3的相邻层交替插入CBP和B3PyMPM薄层，在CBPB3PyMPM异质界面之间形成多量子阱结构，制备无掺杂超薄绿色磷光OLED器件。将每个CBP或B3PyMPM层的厚度设为2nm是为了保证有效的激子隧穿。因此，载流子可以被有效的分布在每一个界面，增加量子阱结构的数量可以使激子的分布更加均匀，从而避免了激子大量聚集导致的激子猝灭。利用激基复合物和量子阱结构的协同作用来拓宽激子复合区域，提高了激子利用率，它能为提高绿磷光OLED器件的效率、减小效率滚降提供一条新思路。

本发明授权基于激基复合物的多量子阱结构改善OLED器件性能的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于激基复合物的多量子阱结构改善OLED器件性能的方法，所述OLED器件包括多个超薄无掺杂的发光层，所述的发光层的材料是由绿色磷光材料fac-Irppy3构成的，其特征在于：向OLED器件的多个发光层fac-Irppy3的相邻层之间交替插入空穴传输材料4,4-二9-咔唑联苯（4,4'-BisN-carbazolyl-1,1'-biphenyl，CBP）和电子传输材料4,6-双3,5-二3-吡啶基苯基-2-甲基嘧啶（4,6-Bis3,5-dipyridin-3-ylphenyl-2-methylpyrimidine,B3PYMPM）； 所述的OLED器件通过空穴传输材料CBP和电子传输材料B3PYMPM形成界面激基复合物，在界面插入0.2nm的fac-Irppy3； 所述的OLED器件发光层fac-Irppy3的膜厚为0.2nm保持不变，在发光层fac-Irppy3的相邻层交替插入空穴传输材料CBP和电子传输材料B3PyMPM薄层，空穴传输材料CBP和电子传输材料B3PyMPM薄层的膜厚为1~4nm。

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