杭州电子科技大学刘艳获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种凹槽栅增强型GaN基HFETs器件及其栅源通道电阻调节方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101586B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210773421.2，技术领域涉及：H10D62/854；该发明授权一种凹槽栅增强型GaN基HFETs器件及其栅源通道电阻调节方法是由刘艳;王涛;程知群;陈思敏设计研发完成，并于2022-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种凹槽栅增强型GaN基HFETs器件及其栅源通道电阻调节方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种凹槽栅增强型GaN基HFETs器件，包括衬底和设置在衬底上方的GaN层，所述GaN层上方设置有源极、漏极和T型栅极，所述源极和漏极之间设置有势垒层，所述势垒层包括势垒层本体、源端掺杂区和漏端掺杂区，所述源端掺杂区和漏端掺杂区通过欧姆接触工艺分别与源极和漏极相连接，所述源端掺杂区和漏端掺杂区掺杂具有大原子半径的金属原子，所述势垒层与GaN层之间设有AlN插层，所述势垒层上表面设置有钝化层。采用上述技术方案，通过在势垒层掺杂具有大原子半径的金属原子能够改变欧姆接触附近势垒层的应变，进而改变与势垒层应变相关的极化库仑场散射的大小，实现栅源通道电阻的调节，从而提高GaN基HFETs的性能。
本发明授权一种凹槽栅增强型GaN基HFETs器件及其栅源通道电阻调节方法在权利要求书中公布了：1.一种凹槽栅增强型GaN基HFETs器件，包括衬底（1）和设置在衬底（1）上方的GaN层（2），所述GaN层（2）上方设置有源极（6）、漏极（8）和T型栅极（7），其特征在于，所述源极（6）和漏极（8）之间设置有势垒层（4），所述势垒层（4）包括势垒层本体（401）、源端掺杂区（402）和漏端掺杂区（403），所述源端掺杂区（402）和漏端掺杂区（403）通过欧姆接触工艺分别与源极（6）和漏极（8）相连接，所述源端掺杂区（402）和漏端掺杂区（403）掺杂具有大原子半径的金属原子，所述具有大原子半径的金属原子是指具有比Al原子半径大的金属原子，所述势垒层（4）与GaN层（2）之间设有AlN插层（3），所述势垒层（4）上表面设置有钝化层。
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