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龙图腾网获悉泰州中来光电科技有限公司申请的专利一种具有选择性发射极的钝化接触太阳电池及其制备方法、组件和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975691B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210757239.8，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种具有选择性发射极的钝化接触太阳电池及其制备方法、组件和系统是由丁东;刘荣林;杜哲仁;全成;马丽敏;陈嘉;林建伟设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有选择性发射极的钝化接触太阳电池及其制备方法、组件和系统在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳电池技术领域，公开一种具有选择性发射极的钝化接触太阳电池及其制备方法、组件和系统。该电池的制备方法包括：n型晶硅衬底经去损伤制绒后，在其正面制备硼掺杂发射极、正面隧穿氧化层和正面多晶硅层；对正面多晶硅层经硼扩散掺杂所得的初态轻掺杂多晶硅层的局域进行激光扫描掺杂，使扫描区域形成重掺杂多晶硅层；在重掺杂多晶硅层正面制备覆盖层，使非扫描区域的初态轻掺杂多晶硅层经部分碱刻蚀形成末态轻掺杂多晶硅层；去除覆盖层，并抛光晶硅衬底背面后，制备背面隧穿氧化层和背面磷掺杂多晶硅层；再进行钝化和金属化。该方法既能保证其优越钝化特性，又不会出现明显的寄生光吸收损耗，使接触电阻最优化，避免了晶硅衬底损伤。

本发明授权一种具有选择性发射极的钝化接触太阳电池及其制备方法、组件和系统在权利要求书中公布了：1.一种具有选择性发射极的钝化接触太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、对n型晶硅衬底进行去损伤和制绒处理后，在晶硅衬底正面依次制备硼掺杂发射极、正面隧穿氧化层和正面多晶硅层； S2、对正面多晶硅层进行硼扩散掺杂，得到初态轻掺杂多晶硅层，再对初态轻掺杂多晶硅层的局域进行激光扫描掺杂，使其扫描区域形成重掺杂多晶硅层； S3、在重掺杂多晶硅层正面制备抗碱刻蚀的覆盖层，以对非扫描区域的初态轻掺杂多晶硅层进行部分碱刻蚀，形成末态轻掺杂多晶硅层；其中，末态轻掺杂多晶硅层与初态轻掺杂多晶硅层的厚度之比为0.05～0.3：1； S4、去除覆盖层，并抛光晶硅衬底的背面，再在晶硅衬底背面依次制备背面隧穿氧化层和背面磷掺杂多晶硅层； S5、对晶硅衬底依次进行钝化和金属化处理，以在晶硅衬底正面依次制备钝化减反层和接触重掺杂多晶硅层的正面金属电极，并在晶硅衬底背面依次制备钝化层和局域接触背面磷掺杂多晶硅层的背面金属电极。

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