无锡先为科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡先为科技有限公司申请的专利生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148794B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210761863.5，技术领域涉及：H10D62/85；该发明授权生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请的实施例提供了一种生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法，生长在Si衬底上的GaN薄膜至少包括Si衬底以及在Si衬底上依次外延生长的过渡层、GaN缓冲层、GaN沟道层和势垒层；GaN缓冲层包括第一GaN层和第二GaN层，第一GaN层、第二GaN层和GaN沟道层分别在第一条件、第二条件和第三条件下外延生长，分步沉积；先通过极低的VIII比生长第一GaN层作为应力保持层，使得第一GaN层能够引入足够的压应力，以均衡后续的热应力，提升膜层的抗弯曲形变能力；在较低的VIII比下生长高阻抗的第二GaN层，能够有效提高C掺杂浓度，从而提升GaN薄膜的耐压能力，进而改善功率器件的整体耐压效果。
本发明授权生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种生长在Si衬底上的GaN薄膜，至少包括Si衬底10以及在所述Si衬底10上依次外延生长的过渡层20、GaN缓冲层30、GaN沟道层40和势垒层50，其特征在于： 所述GaN缓冲层30至少包括第一GaN层31，设于所述过渡层20背离所述Si衬底10的一侧，所述第一GaN层31被配置为以第一条件外延生长的应力保持层；以及 第二GaN层32，设于所述第一GaN层31背离所述过渡层20的一侧，所述第二GaN层32被配置为以第二条件外延生长的非掺杂GaN高阻层； 所述GaN沟道层40被配置为以第三条件外延生长的非掺杂GaN层； 所述第一条件还包括不低于8μmh的平均生长速率； 定义V族和III族原料的摩尔比为VIII比，第一条件至少包括：保持VIII比为50-100；第二条件至少包括提升VIII比至300-500； 第二条件还包括保持所述第二GaN层32的平均生长速率为10-20μmh。
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