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龙图腾网获悉泰州中来光电科技有限公司申请的专利一种测试晶体硅体区复合的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115166460B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210751479.7，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种测试晶体硅体区复合的方法是由陈春平;包杰;蒋建婷;胡圣杰;季根华;沈承焕;杜哲仁;林建伟设计研发完成，并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种测试晶体硅体区复合的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及晶体硅太阳电池技术领域，公开了一种测试晶体硅体区复合的方法，是将晶体硅在不同载流子注入浓度下的体区暗态饱和电流密度值来表示晶体硅的体区复合值，其包括：制备晶体硅样品；测试晶体硅样品在不同载流子注入浓度下的隐开路电压值及表面暗态饱和电流密度值；根据不同载流子注入浓度下的隐开路电压值，获得晶体硅样品在不同载流子注入浓度下的总暗态饱和电流密度值；根据不同载流子注入浓度下的表面暗态饱和电流密度值和总暗态饱和电流密度值，获得晶体硅样品的体区复合值。该方法通过体区暗态饱和电流密度值来精确表征晶体硅的体区复合大小，能建立起与开路电压的关系，并能定量计算不同载流子注入浓度下晶体硅的体区复合值。

本发明授权一种测试晶体硅体区复合的方法在权利要求书中公布了：1.一种测试晶体硅体区复合的方法，其特征在于，将晶体硅在不同载流子注入浓度下的体区暗态饱和电流密度值来表示晶体硅的体区复合值，其包括如下步骤： S1、制备待测的晶体硅样品：在晶硅衬底的前表面依次制备载流子选择性层和减反射膜，并在晶硅衬底的后表面依次制备载流子选择性层和减反射膜；其中，载流子选择性层为同质结构或钝化接触结构； S2、测试所述晶体硅样品在不同载流子注入浓度下的隐开路电压值及表面暗态饱和电流密度值； S3、根据不同载流子注入浓度下的隐开路电压值，获得所述晶体硅样品在不同载流子注入浓度下的总暗态饱和电流密度值； S4、根据不同载流子注入浓度下的表面暗态饱和电流密度值和总暗态饱和电流密度值，获得所述晶体硅样品的体区复合值； 步骤S4中，不同载流子注入浓度下的表面暗态饱和电流密度值和总暗态饱和电流密度值的差值，即为所述晶体硅在不同载流子注入浓度下的体区暗态饱和电流密度值，其计算公式为： J0，B＝J0，T-J0，S 式中，J0，T为不同载流子注入浓度Δn下总暗态饱和电流密度值，J0，S为不同载流子注入浓度Δn下表面暗态饱和电流密度，J0，B为晶体硅样品不同载流子注入浓度Δn下的体区的暗态饱和电流密度值。

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