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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种具有新型漏极场板的GaN基HEMT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101589B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210726936.7，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权一种具有新型漏极场板的GaN基HEMT器件及其制备方法是由袁嵩;张世杰;江希;姜涛;严兆恒;何艳静;弓小武设计研发完成，并于2022-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有新型漏极场板的GaN基HEMT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有新型漏极场板的GaN基HEMT器件及其制备方法，所述器件包括自下而上依次堆叠设置的衬底、AlN成核层、GaN过渡层和势垒层，其中，在势垒层的上表面两端分别设置有源极和漏极，源极和漏极之间设置有栅极，在源极和漏极外侧分别形成向下延伸至AlN成核层上表面或内部的台面；在势垒层上表面均覆盖有钝化层；钝化层的上表面包括弯折形的漏极场板，漏极场板的一端延伸至源极上方，另一端延伸至漏极上方，漏极场板与漏极电气连接；在漏极场板的上表面以及钝化层其余区域上表面覆盖有保护层。本发明利用弯折形漏极场板连接漏电极，在较短的漏源间距下优化电场分布，有效提高了器件的长期可靠性及击穿效率。

本发明授权一种具有新型漏极场板的GaN基HEMT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有新型漏极场板的GaN基HEMT器件，其特征在于，包括自下而上依次堆叠的衬底1、AlN成核层2、GaN过渡层3和势垒层4，其中， 所述势垒层4的上表面两端分别设置有源极5和漏极6，所述源极5和所述漏极6之间设置有栅极8，在所述源极5和所述漏极6外侧分别形成向下延伸至所述AlN成核层2上表面或内部的台面7； 所述栅极8、所述源极5、所述漏极6的上表面以及所述势垒层4剩余区域上表面均覆盖有钝化层9； 所述钝化层9的上表面包括弯折形的漏极场板11，所述漏极场板11的下表面延伸至所述钝化层9的内部，上表面与所述钝化层9上表面齐平；沿垂直于衬底1所在平面的方向，所述漏极场板11的正投影为连续的弓字形结构或S型结构，所述漏极场板11的一端延伸至所述源极5上方且垂直覆盖所述源极5至少一部分，另一端延伸至所述漏极6上方且垂直覆盖所述漏极6至少一部分，所述漏极场板11与所述漏极6电气连接； 所述漏极场板11的上表面以及所述钝化层9其余区域上表面覆盖有保护层12。

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