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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利抗单粒子栅极损伤的功率MOSFET栅极结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148819B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210712377.4，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权抗单粒子栅极损伤的功率MOSFET栅极结构及制备方法是由张腾;李强;刘俊修;刘涛;柏松;黄润华设计研发完成，并于2022-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本抗单粒子栅极损伤的功率MOSFET栅极结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开抗单粒子栅极损伤的功率MOSFET栅极结构及制备方法，结构包括第一导电类型外延层漂移区、第二导电类型阱区、第一导电类型源区、第二导电类型重掺杂区、第一隔离栅介质层、第二隔离栅介质层、栅电极、钝化层、源极金属电极。本发明通过引入高介电常数的第二隔离栅介质层，形成复合栅结构，在提高器件单粒子栅穿抗性的同时可以提升总剂量辐照抗性。此外，本发明借助第二隔离栅介质层对JFET区中部的栅氧进行加厚，可进一步降低器件的单粒子辐照栅极损伤。

本发明授权抗单粒子栅极损伤的功率MOSFET栅极结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种抗单粒子栅极损伤的功率MOSFET栅极结构，其特征在于，包括： 第一导电类型外延层漂移区； 位于所述第一导电类型外延层漂移区上的第二导电类型阱区，相邻所述第二导电类型阱区之间形成JFET区； 位于所述第二导电类型阱区内的第一导电类型源区，所述第二导电类型阱区与所述第一导电类型源区之间在靠近JFET区的一侧形成沟道区； 位于所述第二导电类型阱区内，且远离所述JFET区的第二导电类型重掺杂区； 第一隔离栅介质层，所述第一隔离栅介质层设置于所述第一导电类型外延层漂移区顶部，所述第一隔离栅介质层为中间厚、两侧薄的结构，所述第一隔离栅介质层厚度沿水平方向变化的部分形成鸟嘴区； 第二隔离栅介质层，所述第二隔离栅介质层设置于所述第一隔离栅介质层顶部； 栅电极，所述栅电极设置于所述第二隔离栅介质层顶部； 钝化层，所述钝化层设置于所述第二隔离栅介质层上，且包覆所述栅电极； 设置于所述第一隔离栅介质层两侧及所述钝化层上方的源极金属电极，且所述源极金属电极设置于所述第二导电类型重掺杂区和部分第一导电类型源区上方； 所述第二隔离栅介质层的介电常数大于所述第一隔离栅介质层的介电常数； 所述第二隔离栅介质层覆盖全部的沟道区，且在所述JFET区上方不连续，所述第二隔离栅介质层靠近JFET区的一端位于所述鸟嘴区的上方，所述第二隔离栅介质层远离JFET区的一端位于所述第一导电类型源区的上方。

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