华进半导体封装先导技术研发中心有限公司徐成获国家专利权
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龙图腾网获悉华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请的专利一种扇出封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975315B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210652917.4，技术领域涉及：H01L23/373；该发明授权一种扇出封装结构及其形成方法是由徐成;孙鹏;曹立强设计研发完成，并于2022-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种扇出封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种扇出封装结构，包括：第一互连结构，其包括多个第一绝缘层和位于多个第一绝缘层中的多个金属重布线层，且多个金属重布线层之间电连接；第二绝缘层，其位于第一互连结构的正面；金属缓冲层，其位于第二绝缘层中，并与金属重布线层电连接；管脚，其与金属重布线层电连接；第三绝缘层，其位于金属缓冲层上；凸点下金属化层，其位于管脚上；芯片，其布置在凸点下金属化层上；底填胶，其布置在芯片与第三绝缘层之间；塑封层，其将第三绝缘层至芯片的背面之间塑封；金属层，其位于扇出封装结构的侧面和背面，并与芯片和金属缓冲层电连接；以及焊球，其与布置在第一互连结构的背面。
本发明授权一种扇出封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种扇出封装结构，包括： 第一互连结构，其包括多个第一绝缘层和位于多个第一绝缘层中的多个金属重布线层，且多个所述金属重布线层之间电连接； 第二绝缘层，其位于所述第一互连结构的正面； 金属缓冲层，其位于所述第二绝缘层中，并与金属重布线层电连接；所述金属缓冲层为整面金属层或网状金属层，且具有多个不含金属的空白区域； 管脚，其与所述金属重布线层电连接；所述管脚位于所述金属缓冲层的空白区域中，且所述管脚与金属缓冲层之间填充有所述第二绝缘层； 第三绝缘层，其位于所述金属缓冲层上； 凸点下金属化层，其位于所述管脚上； 芯片，其布置在所述凸点下金属化层上； 底填胶，其布置在所述芯片与所述第三绝缘层之间； 塑封层，其将所述第三绝缘层至所述芯片的背面之间塑封； 金属层，其位于所述扇出封装结构的侧面和背面，并与所述芯片和所述金属缓冲层电连接；以及 焊球，其与布置在所述第一互连结构的背面。
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