北京量子信息科学研究院曹易获国家专利权
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龙图腾网获悉北京量子信息科学研究院申请的专利真随机数发生器及产生真随机数的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114937735B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210550931.3，技术领域涉及：H10N52/00；该发明授权真随机数发生器及产生真随机数的方法是由曹易;王超;任睿智;鲁军;谭浩设计研发完成，并于2022-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本真随机数发生器及产生真随机数的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种包括多层膜结构的真随机数发生器，所述多层膜结构包括：导电层，配置成通入第一电流；第一磁性层，位于所述导电层之上，易磁化方向垂直于所述导电层与所述第一磁性层的交界面，配置成在所述第一电流的焦耳热作用下，所述第一磁性层的磁矩克服翻转能量势垒向垂直于所述交界面向上或向下的方向随机翻转；自旋流抵消层，位于所述第一磁性层之上，用于抵消所述导电层与所述第一磁性层的交界面上产生的自旋流对所述第一磁性层的磁矩产生的自旋轨道矩。本发明所提供的真随机数发生器，通过增加自旋流抵消层抵消了来自导电层的自旋轨道矩，克服了在自旋轨道耦合效应下的垂直磁化异质结器件的磁矩难以等概率发生向上和向下翻转的问题。
本发明授权真随机数发生器及产生真随机数的方法在权利要求书中公布了：1.一种包括多层膜结构的真随机数发生器，其特征在于，所述多层膜结构包括： 导电层，配置成通入第一电流； 第一磁性层，位于所述导电层之上，易磁化方向垂直于所述导电层与所述第一磁性层的交界面，配置成在所述第一电流的焦耳热作用下，所述第一磁性层的磁矩克服翻转能量势垒向垂直于所述交界面向上或向下的方向随机翻转； 自旋流抵消层，位于所述第一磁性层之上，所述自旋流抵消层采用与所述导电层相同的材料制成，用于抵消所述导电层与所述第一磁性层的交界面上产生的自旋流对所述第一磁性层的磁矩产生的自旋轨道矩。
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