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龙图腾网获悉苏州华星光电技术有限公司申请的专利微型发光二极管发光器件和微型发光二极管芯片转印方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114883359B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210520309.8，技术领域涉及：H10H29/49；该发明授权微型发光二极管发光器件和微型发光二极管芯片转印方法是由吴昊;张文兵;高峰;饶振华;夏宇飞设计研发完成，并于2022-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本微型发光二极管发光器件和微型发光二极管芯片转印方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种微型发光二极管发光器件和微型发光二极管芯片转印方法；该微型发光二极管发光器件通过使第一电极和第二电极中的至少一个的长度大于对应连接的微型发光二极管芯片的电极的长度，同时，在第一电极朝向第二电极的方向，使其不同端点之间的最大间距大于对应连接的微型发光二极管芯片的电极的宽度，使得微型发光二极管芯片发生扭转时，微型发光二极管芯片的电极仍然能够与第一电极和第二电极正常连接，减小微型发光二极管芯片出现坏点的可能性，且在对第一电极和第二电极进行修复时，可以通过打断第一电极和第二电极的方式进行修复，降低修复难度，提高微型发光二极管发光器件的修复效率和制备效率。

本发明授权微型发光二极管发光器件和微型发光二极管芯片转印方法在权利要求书中公布了：1.一种微型发光二极管发光器件，其特征在于，包括： 衬底； 驱动背板，设置于所述衬底一侧； 电极层，设置于所述驱动背板远离所述衬底的一侧，所述电极层包括第一电极和第二电极； 微型发光二极管芯片，设置于所述电极层远离所述驱动背板的一侧，所述微型发光二极管芯片包括正极和负极； 其中，所述正极与所述第一电极连接，所述负极与所述第二电极连接，所述第一电极和所述第二电极中的至少一个的长度大于对应连接的所述微型发光二极管芯片的电极的长度，且沿所述第一电极朝向所述第二电极的方向，在所述第一电极和所述第二电极中，长度大于对应连接的微型发光二极管芯片的电极的长度的至少一者的不同端点之间的最大间距，大于对应连接的所述微型发光二极管芯片的电极的宽度； 所述第一电极的长度大于所述正极的长度，沿所述第一电极朝向所述第二电极的方向，所述第一电极的不同端点之间的最大间距，大于所述正极的宽度；所述第二电极的长度大于所述负极的长度，沿所述第一电极朝向所述第二电极的方向，所述第二电极的不同端点之间的最大间距，大于所述负极的宽度；所述第一电极的宽度大于所述正极的宽度，所述第二电极的宽度大于所述负极的宽度；所述第一电极和所述第二电极组成的电极的形状包括圆环、椭圆环、半圆、半椭圆和方形中的一种。

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