清华大学蒋程宇获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利薄膜电池的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114883446B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210476378.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权薄膜电池的制作方法是由蒋程宇;周谷越设计研发完成，并于2022-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜电池的制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及电池制备领域，提供一种薄膜电池的制作方法，包括：在真空环境下，通过真空沉积的方式在基底的表面生成可分离的衬底；在真空环境下，利用真空沉积的方式在衬底上制备薄膜电池层。本发明提出的制作方法，衬底的制作以及薄膜电池层的制作均在真空环境下进行，并且衬底的制作方式采用真空沉积的方式，因此在制作过程中可以在同一个环境中实现对衬底和薄膜电池层的制备，无需设置不同的制造环境并分开制作衬底和薄膜电池层，因此该方法适合在受限条件下实现薄膜电池的大规模制备，例如，本方法可以在地外真空环境基于地外环境的原位资源实现薄膜电池的大规模制备，从而简化了制作流程，并且可以减少携带的原材料和设备规模。
本发明授权薄膜电池的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜电池的制作方法，其特征在于，包括： 在真空环境下，通过真空沉积的方式在基底的表面生成可分离的衬底，所述基底包括可卷曲的基底； 在真空环境下，利用真空沉积的方式在所述衬底上制备薄膜电池层； 其中，所述可卷曲的基底通过第一传送辊组和第二传送辊驱动，使得所述衬底和薄膜电池层的制备与传送过程在相同的所述真空环境中进行。
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