华南理工大学李国强获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种氮化铝压电材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114824057B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210402403.3，技术领域涉及：H10N30/85；该发明授权一种氮化铝压电材料及其制备方法和应用是由李国强;罗添友;胡晗;李陈阳;欧阳佩东设计研发完成，并于2022-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化铝压电材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化铝压电材料及其制备方法和应用。本发明的氮化铝压电材料的化学式为ScxMgyAl1‑x‑yN，式中，0≤x1，0≤y1，x+y1，且x和y不能同时为0。本发明的氮化铝压电材料的制备方法包括以下步骤：1通过磁控溅射在衬底上沉积AlN薄膜，再进行热处理和氮化处理；2通过MOCVD法在AlN薄膜上生长AlN成核层，再在AlN成核层上生长Mg或和Sc掺杂的AlN薄膜，再去除Mg或和Sc掺杂的AlN薄膜以外的部分，即得氮化铝压电材料。本发明的氮化铝压电材料的机电耦合常数大、质量因数Q合适，且其制备方法简单，在FBAR滤波器中具有很好的应用前景。
本发明授权一种氮化铝压电材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种氮化铝压电材料，其特征在于，化学式如下： ScxMgyAl1-x-yN，式中，0≤x1，0≤y1，x+y1，且x和y不能同时为0； 所述氮化铝压电材料是由包括以下步骤的制备方法制成： 1通过磁控溅射在衬底上沉积AlN薄膜，再进行热处理和氮化处理； 2通过有机金属化合物化学气相沉积法在AlN薄膜上生长AlN成核层，再通入Mg源或和Sc源后在AlN成核层上生长Mg或和Sc掺杂的AlN薄膜，再进行刻蚀和剥离去除Mg或和Sc掺杂的AlN薄膜以外的部分，即得氮化铝压电材料； 步骤1所述AlN薄膜的厚度为50nm～200nm； 步骤1所述热处理在H2气氛或N2气氛中进行，热处理温度为850℃～1150℃，热处理时间为3min～7min； 步骤1所述氮化处理在850℃～1150℃下进行； 步骤2所述AlN成核层的厚度为20nm～100nm； 步骤2所述Mg或和Sc掺杂的AlN薄膜的厚度为0.05μm～2μm。
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