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龙图腾网获悉武汉华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利电子装置及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823820B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210364968.7，技术领域涉及：H10K59/122；该发明授权电子装置及其制作方法是由江晓苏;阮崇鹏;刘生泽;丁曼曼设计研发完成，并于2022-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本电子装置及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电子装置及其制作方法，其包括基板、导通功能层、像素定义层以及发光功能层。导通功能层设置于基板的一侧并包括设置于基板一侧的多个阳极；像素定义层设置于导通功能层远离基板的一侧并包括多个像素开口，且一像素开口对应一阳极设置；发光功能层包括多个功能部，且一功能部对应设置于一像素开口内，各功能部独立选自发光像素以及感光器件中的任一者；其中，导通功能层还包括至少设置于相邻两功能部之间的阻光结构，且阻光结构与阳极间隔设置。本发明可以减少相邻发光像素之间的横向光串扰，并提高感光器件的感测精度。

本发明授权电子装置及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种电子装置，其特征在于，包括： 基板； 导通功能层，设置于所述基板的一侧，并包括设置于所述基板一侧的多个阳极； 像素定义层，设置于所述导通功能层远离所述基板的一侧，并包括多个像素开口，且一所述像素开口对应一所述阳极设置，所述像素定义层还包括围绕各所述像素开口设置的挡墙结构； 发光功能层，包括多个功能部，且一所述功能部对应设置于一所述像素开口内，各所述功能部独立选自发光像素以及感光器件中的任一者； 其中，所述导通功能层还包括至少设置于相邻两所述功能部之间的阻光结构，所述阻光结构嵌入设置于所述挡墙结构中，且所述阻光结构与所述阳极间隔设置，所述阻光结构的厚度大于所述阳极的厚度，所述阻光结构配置为阻挡其中一所述像素开口内的所述发光像素发出的光线进入相邻的所述像素开口内，以及阻挡环境光由斜向射至所述感光器件上； 所述阻光结构的厚度大于或等于所述挡墙结构的厚度，所述电子装置还包括设置于所述像素定义层远离所述基板一侧的阴极层，且所述阴极层覆盖多个所述像素开口以及所述阻光结构，并与所述阻光结构电性连接； 第一金属层形成有网格状的中间体，所述阻光结构由第二金属层与所述中间体层叠形成，所述第二金属层位于呈网格状的所述中间体的网格内的部分形成有多个所述阳极。

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