国科大杭州高等研究院单玉凤获国家专利权
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龙图腾网获悉国科大杭州高等研究院申请的专利一种基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114824068B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210311731.2，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器及其制备方法是由单玉凤;朱家旗;殷子薇;邓惠勇;戴宁设计研发完成，并于2022-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器的制备方法，包括如下步骤：步骤1，采用溅射或蒸镀工艺在衬底上沉积导电薄膜作为底电极；步骤2，制备二维层状铜基硫族化合物材料，通过转移法转移至底电极上，作为忆阻功能层；步骤3，采用溅射或蒸镀工艺在忆阻功能层上沉积一层Cu导电层；步骤4，在Cu导电层上蒸镀一层金属层作为顶电极，最终得到基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器。本发明制备的忆阻器利用铜基硫族化合物中本身具有的Cu空位作为Cu离子迁移通道，迁移势垒低，不需表面额外做异质层，器件即具有低的开关电压1V。
本发明授权一种基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1，采用溅射或蒸镀工艺在衬底上沉积导电薄膜作为底电极； 步骤2，制备二维层状铜基硫族化合物材料，通过转移法转移至底电极上，作为忆阻功能层； 步骤3，采用溅射或蒸镀工艺在忆阻功能层上沉积一层Cu导电层； 步骤4，在Cu导电层上蒸镀一层金属层作为顶电极，最终得到基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器， 二维层状铜基硫族化合物的化合物组成为BiCuOX，其中X为S或Se的一种或两种。
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