中国科学院半导体研究所郑婉华获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利超对称半导体激光器及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114640020B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210297390.8，技术领域涉及：H01S5/065；该发明授权超对称半导体激光器及其应用是由郑婉华;傅廷;齐爱谊;王宇飞;周旭彦;王学友;陈静瑄;戴迎秋;王明金设计研发完成，并于2022-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本超对称半导体激光器及其应用在说明书摘要公布了：本公开涉及了一种超对称半导体激光器及其应用，其中超对称半导体激光器包括：主阵列，主阵列的至少一部分的波导层具有有源区，以提供增益促使基横模激射；以及超配对阵列，设置于主阵列的旁侧，由超对称变换得到超配对阵列，超配对阵列的波导层为无源区，以产生损耗并耗散高阶横模；其中，超对称变换可从超配对阵列中滤除主阵列的基横模所对应的本征值，而保留主阵列的至少一部分高阶横模的本征值，主阵列和超配对阵列相互耦合，在外延方向上形成超对称半导体激光器，实现以基横模为主的激光输出，减小半导体激光器的垂直远场发散角，提高半导体激光器的横向光束质量。
本发明授权超对称半导体激光器及其应用在权利要求书中公布了：1.一种超对称半导体激光器，包括： 主阵列（1），所述主阵列（1）的至少一部分的波导层具有有源区，以提供增益促使基横模激射；以及 至少一个超配对阵列（2），设置于所述主阵列（1）的外延方向上的任一位置处，由超对称变换得到至少一个所述超配对阵列（2），所述超配对阵列（2）的波导层为无源区，以产生损耗并耗散高阶横模，至少一个所述超配对阵列位于半导体激光器的N型侧（3）、位于半导体激光器的P型侧（5）、同时位于N型侧（3）和P型侧（5）； 其中，所述超对称变换可从超配对阵列中滤除主阵列的基横模所对应的本征值，而保留主阵列的至少一部分高阶横模的本征值，所述主阵列（1）和所述超配对阵列（2）相互耦合，在外延方向上形成超对称半导体激光器，通过对所述激光器进行电注入，以在所述主阵列和至少一个所述超配对阵列中形成电流，实现以基横模为主的激光输出。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院半导体研究所，其通讯地址为：100083 北京市海淀区清华东路甲35号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号