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龙图腾网获悉华灿光电(苏州)有限公司申请的专利提高空穴量的紫外发光二极管外延片制备方法及外延片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823993B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210220202.1，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权提高空穴量的紫外发光二极管外延片制备方法及外延片是由蒋媛媛;胡烨伟;许杨;李翠玲;从颖;李鹏设计研发完成，并于2022-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本提高空穴量的紫外发光二极管外延片制备方法及外延片在说明书摘要公布了：本公开提供了一种提高空穴量的紫外发光二极管外延片制备方法及外延片，属于半导体器件技术领域。在有源层上周期性生长AlGaN复合层以得到P型AlGaN层，AlGaN复合层包括依次层叠的AlGaN三维子层、AlGaN覆盖子层与AlGaN处理子层。降低内部应力与缺陷。富含氮元素的AlGaN三维子层更容易掺入更多的Mg元素，提高空穴量。低氮环境Al原子与Ga原子的分布更为均匀，保证最终得到的AlGaN复合层的晶体质量。最终仅向反应腔仅通入氨气以生长AlGaN处理子层。保证最终得到的P型AlGaN层能够提供大量空穴的同时保证最终得到的P型AlGaN层的晶体质量。

本发明授权提高空穴量的紫外发光二极管外延片制备方法及外延片在权利要求书中公布了：1.一种提高空穴量的紫外发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述提高空穴量的紫外发光二极管外延片制备方法包括： 提供一衬底； 在所述衬底依次生长N型AlGaN层与有源层； 在所述有源层上周期性生长AlGaN复合层以得到P型AlGaN层，所述AlGaN复合层包括依次层叠的AlGaN三维子层、AlGaN覆盖子层与AlGaN处理子层，所述AlGaN三维子层包括层叠在所述有源层上或层叠在所述AlGaN复合层上的多个AlGaN岛状结构； 所述生长所述AlGaN复合层，包括： 向反应腔通入氨气、Ga源、Al源与Mg源生长所述AlGaN三维子层，所述氨气与所述Ga源的流量比为1000-2000，所述氨气与所述Al源的流量比为500-1000； 向所述反应腔通入氨气、Ga源、Al源与Mg源生长所述AlGaN覆盖子层，所述氨气与所述Ga源的流量比为100-200，所述氨气与所述Al源的流量比为50-100； 向所述反应腔仅通入氨气以生长所述AlGaN处理子层。

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