西安电子科技大学杨凌获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利具有结终端延伸结构的肖特基二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823924B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210192800.2，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权具有结终端延伸结构的肖特基二极管及其制备方法是由杨凌;张濛;王平;侯斌;武玫;宓珉瀚;朱青;马晓华;郝跃设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有结终端延伸结构的肖特基二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有结终端延伸结构的肖特基二极管及其制备方法，其特征在于，该二极管包括阴极、n+‑Ga2O3衬底层、n‑‑Ga2O3缓冲层、P型区、阳极；其中，阴极、n+‑Ga2O3衬底层、n‑‑Ga2O3缓冲层自下而上依次设置；n‑‑Ga2O3缓冲层左右两端各设有一组凹槽结构，P型区覆盖于凹槽结构内和凹槽结构上方的n‑‑Ga2O3缓冲层表面，以形成结终端延伸结构；阳极覆盖在n‑‑Ga2O3缓冲层中间的上表面，并向两端延伸至覆盖部分P型区的上表面。其中，P型区采用氮化镓材料。本发明采用结终端延伸结构，引入深度递增的P型凹槽，利用产生的横向PN结分散肖特基结边缘处的电场，使器件具有更平滑的等电位轮廓，降低了峰值电场，同时以P型GaN作为P型区规避了P型Ga2O3制备困难的问题。
本发明授权具有结终端延伸结构的肖特基二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有结终端延伸结构的肖特基二极管，其特征在于，包括：阴极1、n+-Ga2O3衬底层2、n--Ga2O3缓冲层3、P型区4、阳极5；其中， 所述阴极1、n+-Ga2O3衬底层2、n--Ga2O3缓冲层3自下而上依次设置； 所述n--Ga2O3缓冲层3左右两端各设有一组凹槽结构，所述P型区4覆盖于所述凹槽结构内和凹槽结构上方的n--Ga2O3缓冲层3表面，以形成结终端延伸结构； 所述阳极5覆盖在所述n--Ga2O3缓冲层3中间的上表面，并向两端延伸至覆盖部分所述P型区4的上表面。
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