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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利自对准成像工艺硬掩膜层刻蚀偏差的测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695121B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210170172.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权自对准成像工艺硬掩膜层刻蚀偏差的测量方法是由钱睿;赖璐璐;刘必秋;张聪设计研发完成，并于2022-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本自对准成像工艺硬掩膜层刻蚀偏差的测量方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种自对准成像工艺剪切层刻蚀偏差的测量方法，设计测试图形，主版图包括在X方向等间距分布、在Y方向以相差固定偏移量依次分布的牺牲层图形和多行沿着X，Y方向等间距分布的剪切层图形。每一列相邻的两个牺牲层图形在Y方向的周期与剪切层图形的周期一致。将该测试图形转移至光罩上，经过一系列光刻和刻蚀等工艺后，利用大场检测工具进行检测，通过正好被完全剪切掉的fin结构和刚刚被剪切到的fin结构的位置来确定刻蚀后图形的边界。本发明准确地确定剪切层AEICD的边界，从而确定刻蚀偏差，为光学临近效应校正光刻刻蚀工艺的调整提供参考，提高工艺修正和调整的准确性，减少缺陷的产生。

本发明授权自对准成像工艺硬掩膜层刻蚀偏差的测量方法在权利要求书中公布了：1.一种自对准成像工艺硬掩膜层刻蚀偏差的测量方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、设计主版图，所述主版图包括在X方向等间距分布、在Y方向以相差固定偏移量依次分布的牺牲层图形和多行沿着X、Y方向等间距分布的剪切层图形； 其中所述X方向为平行于所述主版图的方向，所述Y方向垂直于所述X方向且平行于所述主版图； 每一行的多个所述牺牲层图形沿着Y方向至少从与剪切层图形的上边缘齐平到与其下边界齐平； 每一列相邻的两个所述牺牲层图形在Y方向的周期与所述剪切层图形的周期一致；其中所述固定偏移量为版图设计规则中最小格点的整数倍； 步骤二、设计测试键图形，所述测试键图形包括至少10行所述剪切层图形以及其上的全部所述牺牲层图形； 步骤三、提供衬底，所述衬底上形成有多个fin结构、覆盖多个所述fin结构的硬质掩膜层以及覆盖所述硬质掩膜层的牺牲层，之后在所述牺牲层上形成光刻胶层，光刻将所述测试键图形转移至所述光刻胶层上，之后对光刻后的所述光刻胶层进行量测得到ADI关键尺寸； 步骤四、刻蚀所述衬底，通过正好被完全剪切掉的所述fin结构和刚刚被剪切到的所述fin结构的位置来确定刻蚀后图形的边界，从而得到AEI关键尺寸； 步骤五、根据所述ADI关键尺寸和所述AEI关键尺寸得到刻蚀偏差；所述方法用于表征SADP、SAQP和SAOP工艺中的任意一步剪切层工艺。

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