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龙图腾网获悉旭化成微电子株式会社申请的专利光学元件和光学式浓度测定装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114965336B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210172758.8，技术领域涉及：G01N21/3504；该发明授权光学元件和光学式浓度测定装置是由安田大贵;古屋贵明设计研发完成，并于2022-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本光学元件和光学式浓度测定装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种光学元件和光学式浓度测定装置，提供不使芯片尺寸变大而使有效的受光面或者发光面变大并实现耐变动性高的气体传感器的光学元件。关于光学元件，内部布线部将一个单位元件的第一接触电极部与其它单位元件的第二接触电极部电连接，第二区域、活性层以及第二导电型半导体层构成台面构造，焊盘电极以覆盖多个单位元件的方式配置，并且与第一接触电极部和第二接触电极部中的至少一方电连接，第一绝缘部配置于焊盘电极与台面构造的侧面之间以及焊盘电极与第一导电型半导体层的第一区域之间，外接于焊盘电极与连接部相接触的区域的圆的直径为基板的短边的长度的15％以上。

本发明授权光学元件和光学式浓度测定装置在权利要求书中公布了：1.一种光学元件，其特征在于， 具备基板、多个单位元件、内部布线部、焊盘电极以及第一绝缘部， 其中，所述多个单位元件具有： 第一导电型半导体层，其配置于所述基板上，包括第一区域和第二区域； 活性层，其配置于所述第一导电型半导体层的第二区域上； 第二导电型半导体层，其配置于所述活性层上； 所述第一导电型半导体层的第一区域上的第一接触电极部；以及 所述第二导电型半导体层上的第二接触电极部， 所述内部布线部将一个所述单位元件的所述第一接触电极部与其它所述单位元件的所述第二接触电极部电连接， 所述第二区域、所述活性层和所述第二导电型半导体层构成台面构造， 所述焊盘电极以覆盖多个所述单位元件的方式配置，并且与所述第一接触电极部和所述第二接触电极部中的至少一方电连接， 所述第一绝缘部配置于所述焊盘电极与所述内部布线部之间，以使得所述内部布线部不与所述焊盘电极接触， 所述光学元件还具备连接部，所述连接部为了与外部电连接而设置于所述焊盘电极上，所述连接部与所述焊盘电极电连接，外接于所述焊盘电极与所述连接部相接触的区域的圆的直径为所述基板的短边的长度的15％以上。

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