江西兆驰半导体有限公司田杰获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种外延隔离LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628551B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210169458.4，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种外延隔离LED芯片及其制备方法是由田杰;简弘安;张星星;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2022-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种外延隔离LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种外延隔离LED芯片及其制备方法，包括：提供衬底，在衬底上刻蚀形成凹槽；分别在凹槽的底部、侧壁及顶部沉积抑制外延层生长的化合物；通过刻蚀分别去除在凹槽的顶部和底部沉积的化合物；并依次在凹槽的底部生长N型半导体层、发光层和P型半导体层。本发明中的外延隔离LED芯片及其制备方法，通过首先在衬底上刻蚀出凹槽，形成自隔离的结构，并在凹槽侧壁沉积抑制外延层生长的化合物，在自隔离的结构上生长外延层，提前将芯片进行隔离再生长外延层能够避免刻蚀对外延层的污染，提高了芯片的发光效率。
本发明授权一种外延隔离LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种外延隔离LED芯片制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供衬底，在所述衬底上形成第一光刻图形，刻蚀出与所述第一光刻图形相应的图形，以使在所述衬底上形成凹槽； 分别在所述凹槽的底部、侧壁及顶部沉积抑制外延层生长的化合物； 通过刻蚀分别去除在所述凹槽的顶部和底部沉积的所述化合物； 在所述衬底上形成第二光刻图形，刻蚀出与所述第二光刻图形相应的图案，并依次在所述凹槽的底部生长N型半导体层、发光层和P型半导体层； 在分别在所述凹槽的底部、侧壁及顶部沉积化合物的步骤中： 将第一气体反应剂通入腔体，控制通入时间为0.1s-60s； 停止通入第一气体反应剂，通入吹扫气体将腔体内残留的所述第一气体反应剂去除，并控制吹入时间为0.1s-60s，所述吹扫气体包括惰性气体； 将第二气体反应剂通入腔体，控制通入时间为0.1s-60s； 停止通入第二气体反应剂，通入所述吹扫气体将腔体内残留的所述第二气体反应剂去除，并控制吹入时间为0.1s-60s； 循环重复上述步骤，直至沉积化合物的厚度达到预设厚度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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