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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利分栅快闪存储单元的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114512491B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210152730.8，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权分栅快闪存储单元的制备方法是由王旭峰;于涛;李冰寒设计研发完成，并于2022-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本分栅快闪存储单元的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种分栅快闪存储单元的制备方法，包括：提供衬底，在所述衬底上依次形成浮栅材料层及介质层；刻蚀所述介质层及所述浮栅材料层以形成显露所述衬底的开口；在所述开口内填充擦除栅；在所述擦除栅及所述介质层上形成图形化的光刻胶层，以所述图形化的光刻胶层为掩模依次刻蚀所述介质层及所述浮栅材料层以显露出所述衬底；去除所述图形化的光刻胶层，在所述介质层及所述浮栅远离所述擦除栅的一侧形成字线栅；以及，形成字线栅电连接件及擦除栅电连接件，所述字线栅电连接件及所述擦除栅电连接件穿过所述钝化层并分别与所述字线栅及所述擦除栅电性连接；本发明简化了器件的制备工艺。

本发明授权分栅快闪存储单元的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种分栅快闪存储单元的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，在所述衬底上依次形成浮栅材料层及介质层； 刻蚀所述介质层及所述浮栅材料层以形成显露所述衬底的开口； 在所述开口内填充擦除栅； 在所述擦除栅及所述介质层上形成图形化的光刻胶层，以所述图形化的光刻胶层为掩模依次刻蚀所述介质层及所述浮栅材料层以显露出所述衬底，剩余的浮栅材料层作为浮栅； 去除所述图形化的光刻胶层，在所述介质层及所述浮栅远离所述擦除栅的一侧形成字线栅；以及， 在所述衬底上形成钝化层以及在所述钝化层上形成字线栅电连接件及擦除栅电连接件，所述钝化层覆盖所述衬底、所述字线栅、所述介质层及所述擦除栅，所述字线栅电连接件及所述擦除栅电连接件穿过所述钝化层并分别与所述字线栅及所述擦除栅电性连接，且所述字线栅电连接件及所述擦除栅电连接件沿同一方向呈直线延伸； 其中，形成所述开口的步骤包括： 刻蚀所述介质层以形成显露出所述浮栅材料层的第一开口；以及， 在所述第一开口的侧壁上形成第一氧化层，以所述第一氧化层为掩模刻蚀所述浮栅材料层以形成显露出所述衬底的第二开口，所述第一开口和所述第二开口连通构成所述开口。

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