西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司张磊获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司申请的专利一种旁路晶闸管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114400254B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210146872.3，技术领域涉及：H10D18/80；该发明授权一种旁路晶闸管及其制造方法是由张磊;杨俊艳;李畅;赵田;张歧宁;王国卫;胡茜;党敏青设计研发完成，并于2022-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种旁路晶闸管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种旁路晶闸管及其制造方法，从上往下依次设置有阴极侧铝层，阴极N+区，阴极P‑区，N‑基区，阳极P‑区，阳极P+区和阳极铝层。在阴极侧中心设有沟槽，其表面设有门极P+区，正对门极P+区下方设有凸出的波状型P‑基区，在正对波状P‑区的阳极侧表面设置有高浓度N+区。当本发明结构的门极施加触发信号后，晶闸管可以实现正向导通；当阳‑阴极超过反向击穿电压后，晶闸管能够实现精准电压击穿，且击穿位于中心门极处，具有防爆功能。本发明结构主要应用于柔性直流输电系统中，保护换流阀功率子模块安全运行。
本发明授权一种旁路晶闸管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种旁路晶闸管，从上往下依次设置有阴极侧铝层（10、11和12），阴极N+区（14），阴极P-区（17），N-基区（2），阳极P-区（32），阳极P+区（31）和阳极铝层（30）；其特征在于：在阴极侧中心设有沟槽（13），其表面设有门极P+区（15），正对门极P+区下方设有凸出的波状型P-基区（16），在正对波状P-区的阳极侧表面设置有高浓度N+区（33）。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司，其通讯地址为：710077 陕西省西安市高新区锦业二路13号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号