中国科学院微电子研究所李永亮获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利具有高驱动能力和陡峭SS特性的半导体器件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114566549B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210131205.8，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权具有高驱动能力和陡峭SS特性的半导体器件及制造方法是由李永亮;程晓红;赵飞;罗军;王文武设计研发完成，并于2022-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有高驱动能力和陡峭SS特性的半导体器件及制造方法在说明书摘要公布了：公开了一种半导体器件及其制造方法。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底；沟道部，包括：第一部分，包括相对于衬底突出的鳍状结构；第二部分，在第一部分上方且与第一部分间隔开，包括一个或多个彼此间隔开的纳米线或纳米片；源漏部，设于沟道部在第一方向上的相对两侧，与沟道部相接；以及栅堆叠，在衬底上沿与第一方向交叉的第二方向延伸，以与沟道部相交。
本发明授权具有高驱动能力和陡峭SS特性的半导体器件及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括： 在衬底上设置沿第一方向延伸的脊状结构，其中所述脊状结构至少在上部具有第一多个半导体层的第一叠层； 在所述衬底上形成沿与第一方向交叉的第二方向延伸的伪栅，以与所述脊状结构相交； 在所述衬底上形成层间电介质层，所述层间电介质层露出所述伪栅； 去除所述伪栅，从而在所述层间电介质层中形成栅槽； 在所述栅槽中，从所述脊状结构的所述第一叠层中去除部分半导体层，以形成一个或多个彼此分离的纳米线或纳米片，且所述脊状结构的下部与所述纳米线或纳米片分离而形成鳍状结构；以及 在所述栅槽中形成栅堆叠，以与所述纳米线或纳米片以及所述鳍状结构相交。
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