上海至纯洁净系统科技股份有限公司;至微半导体(上海)有限公司廖世保获国家专利权
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龙图腾网获悉上海至纯洁净系统科技股份有限公司;至微半导体(上海)有限公司申请的专利一种晶圆洗边蚀刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420536B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111643643.4，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种晶圆洗边蚀刻方法是由廖世保;徐铭;邓信甫设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆洗边蚀刻方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种晶圆洗边蚀刻方法，包括：步骤S1，获取一晶圆并将晶圆放置于一放置台上；步骤S2，控制放置台进行旋转，并控制多个喷淋管依次喷淋溶液对晶圆的边缘进行复层洗边蚀刻。有益效果是本方法采用多个喷淋管依次喷淋第一溶液、第二溶液和第三溶液对晶圆的边缘进行洗边蚀刻，以完全清除晶圆边缘的表面物质并有效提升清洗蚀刻效果。
本发明授权一种晶圆洗边蚀刻方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆洗边蚀刻方法，其特征在于，具体包括以下步骤: 步骤S1，获取一晶圆并将所述晶圆放置于一放置台上； 步骤S2，控制所述放置台进行旋转，并控制多个喷淋管依次喷淋溶液对所述晶圆的边缘进行洗边蚀刻； 所述步骤S2中，使用纯净空气吹送单元投以热风吹送至晶圆表面进行气流增速，在晶圆底部形成中心位置常温，在晶圆边缘位置增温，将溶液的流动与处理集中在晶圆边缘位置，采用阶梯化强对流的方式进行流动； 所述喷淋管中设置垂直升降的相位移动的多道腔体，两两间隔的腔体为一个组合，一个组合的腔体搭配两边对称的垂直升降装置进行相位排列分布。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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