华中科技大学;湖北江城实验室程伟明获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学;湖北江城实验室申请的专利一种具有突触特性的掺杂型铁酸铋忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114361337B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111682062.1，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种具有突触特性的掺杂型铁酸铋忆阻器及其制备方法是由程伟明;程敏;赵雨薇;苏睿;缪向水设计研发完成，并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有突触特性的掺杂型铁酸铋忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体存储器件技术领域，具体公开了一种具有突触特性的掺杂型铁酸铋忆阻器及其制备方法，该忆阻器依次包括衬底、底电极、功能层和顶电极；所述功能层为掺杂铁酸铋薄膜，所述掺杂铁酸铋薄膜的材料为A位单掺杂、B位单掺杂或A位与B位共掺杂的铁酸铋，A位掺杂元素为稀土金属元素和碱土金属元素中的至少一种，B位掺杂元素为3d过渡金属元素。本发明忆阻器通过对铁酸铋进行掺杂，使得器件具备多种阻态，在脉冲调制下，既可实现稳定的二值存储又可实现电导连续可调特性，能够实现与生物突触相类似的功能，可广泛应用于神经网络领域研究。
本发明授权一种具有突触特性的掺杂型铁酸铋忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有突触特性的掺杂型铁酸铋忆阻器，其特征在于：依次包括衬底、底电极、功能层和顶电极； 所述功能层为掺杂铁酸铋薄膜，所述掺杂铁酸铋薄膜的材料为B位Mn元素掺杂的铁酸铋，其中Mn元素的掺杂浓度为6at%~20at%，能够在铁酸铋中形成MnO2团簇物，当外加电场时，氧空位形成的导电丝细且分散，在断开时导电丝能够有规律地逐根断裂，使器件电阻值发生连续变化。
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