北京超弦存储器研究院;北京大学吴燕庆获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院;北京大学申请的专利一种垂直堆叠互补场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242722B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111562428.1，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权一种垂直堆叠互补场效应晶体管及其制备方法是由吴燕庆;熊雄;胡倩澜;童安宇设计研发完成，并于2021-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直堆叠互补场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种垂直堆叠互补场效应晶体管及其制备方法。本发明将n型的氧化铟锡场效应晶体管ITOFET位于底层，p型的二维材料场效应晶体管位于上层，二者垂直堆叠形成互补场效应晶体管，从而获得一种功耗低、单元面积占用小、寄生效应小、工作速度快的CMOS器件。
本发明授权一种垂直堆叠互补场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种CMOS器件，是基于氧化铟锡二维材料的垂直堆叠互补场效应晶体管，其中，n型的氧化铟锡场效应晶体管位于底层，p型的二维材料场效应晶体管位于上层，二者垂直堆叠；所述氧化铟锡场效应晶体管包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、第一栅电极、第一栅介质层、ITO沟道及其两端的源漏电极、第二栅介质层，所述二维材料场效应晶体管包括由下至上依次设置在第二栅介质层上的第二栅电极、第三栅介质层、二维材料沟道及其两端的源漏电极、第四栅介质层、第三栅电极；所述第一栅电极、第二栅电极和第三栅电极串联，ITO沟道两端的源漏电极和二维材料沟道两端的源漏电极串联在一起，组成CMOS反相器。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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