华虹半导体(无锡)有限公司刘敏获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利测试结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242607B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111538755.3，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权测试结构及其形成方法是由刘敏;张栋;范晓设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本测试结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种测试结构及其形成方法，其中，测试结构包括：基底，所述基底的切割道包括若干像素测试区和若干逻辑测试区，所述像素测试区和所述逻辑测试区在第一方向上交替排列；位于所述像素测试区上的像素测试栅结构，所述像素测试栅结构的延伸方向垂直于所述第一方向；位于所述逻辑测试区上的逻辑测试栅结构，所述逻辑测试栅结构的延伸方向垂直于所述第一方向。所述测试结构能够降低制造成本、人力和时间。
本发明授权测试结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种测试结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底的切割道包括若干像素测试区和若干逻辑测试区，所述像素测试区和所述逻辑测试区在第一方向上交替排列； 位于所述像素测试区上的像素测试栅结构，所述像素测试栅结构的延伸方向垂直于所述第一方向； 位于所述逻辑测试区上的逻辑测试栅结构，所述逻辑测试栅结构的延伸方向垂直于所述第一方向； 位于所述像素测试区上的栅极的侧壁面的第一侧墙；位于所述第一侧墙、以及所述逻辑测试区上的栅极的侧壁面的第二侧墙；并且，所述像素测试栅结构还包括：所述第一侧墙、以及位于所述第一侧墙的侧壁面的第二侧墙，所述逻辑测试栅结构还包括：位于所述逻辑测试区上的栅极的侧壁面的第二侧墙。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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