旺宏电子股份有限公司黄文聪获国家专利权
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龙图腾网获悉旺宏电子股份有限公司申请的专利静电放电保护装置及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116130479B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111488011.5，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权静电放电保护装置及其操作方法是由黄文聪;王世钰;徐志纬设计研发完成，并于2021-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本静电放电保护装置及其操作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种静电放电保护装置及其操作方法。静电放电保护装置包括：基板、设置于基板中且具有第一导电类型的第一阱区、设置于第一阱区中且具有第二导电类型的第二阱区、设置于第二阱区中且具有第一导电类型的第一掺杂区、设置于第二阱区中且具有第一导电类型的第二掺杂区、设置于第二阱区中且具有第二导电类型的第三掺杂区、以及设置于基板中且具有第一导电类型的第四掺杂区。第一导电类型不同于第二导电类型。第二阱区、第一阱区、基板和第四掺杂区构成可控硅整流器，进入第一掺杂区的静电放电电流经过可控硅整流器流向第四掺杂区。
本发明授权静电放电保护装置及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种静电放电保护装置，其特征在于，包括： 一基板； 一第一阱区，设置于该基板中，该第一阱区具有一第一导电类型； 一第二阱区，设置于该第一阱区中，该第二阱区具有一第二导电类型； 一第一掺杂区，设置于该第二阱区中，该第一掺杂区具有该第一导电类型； 一第二掺杂区，设置于该第二阱区中，该第二掺杂区具有该第一导电类型； 一第三掺杂区，设置于该第二阱区中，该第三掺杂区具有该第二导电类型； 一第四掺杂区，设置于该基板中，该第四掺杂区具有该第一导电类型；以及 一金属导线，该第二掺杂区通过该金属导线电性连接至该第三掺杂区； 其中该第一导电类型不同于该第二导电类型，该第二阱区、该第一阱区、该基板和该第四掺杂区构成一可控硅整流器，进入该第一掺杂区的一静电放电电流经过该可控硅整流器流向该第四掺杂区。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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