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龙图腾网获悉格科微电子(上海)有限公司申请的专利可变增益像素单元电路、HDR图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116249028B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111488230.3，技术领域涉及：H04N25/779；该发明授权可变增益像素单元电路、HDR图像传感器是由李怀兆;王竞成设计研发完成，并于2021-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本可变增益像素单元电路、HDR图像传感器在说明书摘要公布了：本发明公开一种可变增益像素单元电路、HDR图像传感器，该电路包括：光电二极管、传输管、复位管、源极跟随管和增益控制单元；所述增益控制单元包括第一控制管、第二控制管、以及防溢出电容；第一控制管的漏极与复位管的源极相连，第二控制管的源极连接防溢出电容；传输管的漏极、源极跟随管的栅极、第一控制管的源极、以及第二控制管的漏极分别连接于悬浮漏极；传输管的栅极为像素单元的信号输入端，源极跟随管的源极为所述像素单元的信号输出端；第一控制管的栅极为第一控制端，第二控制管的栅极为第二控制端。利用本发明，可以实现像素单元在不同增益之间的切换，使像素单元在不同的照度情况下都能得到较好的响应特性。

本发明授权可变增益像素单元电路、HDR图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种可变增益像素单元电路，其特征在于，所述电路包括：光电二极管（PD）、传输管（TG）、复位管（RG）、源极跟随管（SG）和增益控制单元；复位管（RG）、传输管（TG）和源极跟随管（SG）均为NMOS管；所述增益控制单元包括第一控制管（CG1）、第二控制管（CG2）、以及防溢出电容（C2）；第一控制管（CG1）和第二控制管（CG2）均为NMOS管；第一控制管（CG1）的漏极与复位管（RG）的源极相连，第二控制管（CG2）的源极连接防溢出电容（C2）；传输管（TG）的漏极、源极跟随管（SG）的栅极、第一控制管（CG1）的源极、以及第二控制管（CG2）的漏极分别连接于悬浮漏极； 传输管（TG）的栅极为像素单元的信号输入端，源极跟随管（SG）的源极为所述像素单元的信号输出端； 第一控制管（CG1）的栅极为第一控制端（DCG），第二控制管（CG2）的栅极为第二控制端（TCG），所述第一控制端（DCG）和所述第二控制端（TCG）用于输入控制信号。

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