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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种利用光致应变诱导产生及擦除磁性斯格明子的方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114335332B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111428655.5，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权一种利用光致应变诱导产生及擦除磁性斯格明子的方法及装置是由侯志鹏;王亚栋;孟家慧;陈家文;高兴森设计研发完成，并于2021-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种利用光致应变诱导产生及擦除磁性斯格明子的方法及装置在说明书摘要公布了：一种利用光致应变诱导产生及擦除磁性斯格明子的方法，包括以下步骤：S1：在偶氮苯液晶薄膜上通过磁控溅射制备具有介于垂直各向异性与水平各向异性之间的临界各向异性的磁性多周期膜；S2：通过微纳加工技术在步骤S1制得的磁性多周期膜上制备磁性纳米点阵列；S3：利用光诱导产生斯格明子：通过施加355～375nm的光脉冲，产生斯格明子；S4：利用光擦除斯格明子：通过施加510～530nm的光脉冲，使斯格明子态不能稳定存在，回复为铁磁态。本发明还提供一种磁性斯格明子的写入及擦除装置，包括磁性多周期膜、光致应变衬底和光诱导单元。本发明的方法和装置产生和擦除斯格明子消耗的能量较低，器件稳定性强，有利于器件微型化发展。

本发明授权一种利用光致应变诱导产生及擦除磁性斯格明子的方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种利用光致应变诱导产生及擦除磁性斯格明子的方法，其特征在于：包括以下步骤： S1：在光致应变衬底上通过磁控溅射制备具有介于垂直各向异性与水平各向异性之间的临界各向异性的磁性多周期膜，所述磁性多周期膜自下而上依次包括缓冲层、重金属层、磁性层和非磁性层；所述光致应变衬底为偶氮苯液晶薄膜； S2：通过微纳加工技术在步骤S1制得的磁性多周期膜上制备磁性纳米点阵列； S3：利用光诱导产生斯格明子：通过施加355~375nm的光脉冲，使偶氮键发生顺-反异构反应，偶氮苯液晶薄膜向预设方向弯曲，对磁性层产生单轴压应变，降低磁性材料的垂直磁各向异性，从而使铁磁态不能稳定存在，产生斯格明子； S4：利用光擦除斯格明子：通过施加510~530nm的光脉冲，使得偶氮苯液晶薄膜中的顺式异构不能稳定存在，恢复为平整状态；这时磁性层处于无应变状态，磁性材料的垂直磁各向异性恢复，从而使斯格明子态不能稳定存在，恢复为铁磁态。

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