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龙图腾网获悉微龛(广州)半导体有限公司申请的专利触发电压可调的ESD保护结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121940B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111412507.4，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权触发电压可调的ESD保护结构及其制作方法是由刘森;刘筱伟;刘海彬;李建平;刘兴龙设计研发完成，并于2021-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本触发电压可调的ESD保护结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种触发电压可调的ESD保护器件及其制作方法，所述ESD保护结构包括：具有第一导电类型的深阱和功能器件层，所述功能器件层位于所述深阱内，并且所述功能器件层包括：第二导电类型的体区；第一导电类型的源极和漏极；栅结构，设置于所述体区的表面上；开口部，所述开口部限定于所述栅结构与所述漏极之间，所述开口部下方还设置有轻掺杂漏区；当静电正电流的涌入使所述源极与沟道区以下的所述体区之间达到开启阈值电压时，引发所述寄生NPN双极晶体管导通。本发明还提供一种触发电压可调的ESD保护器件的制作方法，通过所述方法制作的所述功能器件层位于深阱内，可以与实际CMOS三阱工艺相兼容。

本发明授权触发电压可调的ESD保护结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种触发电压可调的ESD保护结构，其特征在于，所述ESD保护结构包括：衬底、具有N型深阱和功能器件层，所述深阱设置于衬底上，所述功能器件层位于所述深阱内，并且所述功能器件层包括： 体区，所述体区具有与所述N型相反的P型； 具有N型的源极和漏极，间隔形成于所述体区内，所述漏极配置为静电引入端； 栅结构，设置于所述体区的表面上，所述栅结构包括栅电极与设置于所述栅电极与所述体区界面之间的栅介质层； 开口部，所述开口部限定于所述栅结构与所述漏极之间，所述开口部下方还设置有轻掺杂漏区，所述轻掺杂漏区从所述漏极延伸至邻接所述栅介质层的位置；所述轻掺杂漏区是N型，且其掺杂浓度高于P型体区； 其中，所述源极、沟道区以下的所述体区和所述漏极构成寄生NPN双极晶体管的发射区、基区和集电区；当静电正电流的涌入使所述源极与沟道区以下的所述体区之间达到开启阈值电压时，引发所述寄生NPN双极晶体管导通；通过调节所述沟道区的长度，改变所述基区的宽度，从而实现触发电压的调制；所述源极连接至公共接地端，当所述栅电极引入负信号时，通过增大所述栅电极的电压来增加所述体区与所述轻掺杂漏区之间能带间隧穿。

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