清华-伯克利深圳学院筹备办公室刘碧录获国家专利权
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龙图腾网获悉清华-伯克利深圳学院筹备办公室申请的专利一种基于褶皱型二维材料的存储器件及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171678B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111401316.8，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权一种基于褶皱型二维材料的存储器件及其制备方法与应用是由刘碧录;张荣杰;成会明设计研发完成，并于2021-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于褶皱型二维材料的存储器件及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于褶皱型二维材料的存储器件及其制备方法与应用。所述存储器件包括基底，基底上设有带褶皱结构的二维材料层，其中，二维材料层通过聚合物层转移到基底上，褶皱结构的形成过程包括如下步骤：使二维材料层贴合于聚合物层与基底之间，先经热处理，再骤冷处理，聚合物层与基底的热膨胀系数不同。本发明通过热处理和骤冷处理相结合，利用聚合物与基底的热膨胀系数不同，在二维材料层上形成褶皱结构。基于该类褶皱型二维材料所制备的存储器件具有多重阻态、存储窗口大、开关比高、稳定性高和重复性好的优点。本发明材料制备方法简单、存储器件结构简单，仅利用单层材料即可实现存储功能，进一步提升了系统的可集成度。
本发明授权一种基于褶皱型二维材料的存储器件及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种存储器件，其特征在于，所述存储器件包括基底，所述基底上设有带褶皱结构的二维材料层，其中，所述二维材料层通过聚合物层转移到所述基底上，所述褶皱结构的形成过程包括如下步骤：使二维材料层贴合于聚合物层与基底之间，先经热处理，再骤冷处理，所述聚合物层与所述基底的热膨胀系数不同。
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