长鑫存储技术有限公司刘志拯获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利熔丝结构、形成方法及可编程存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116093067B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111296012.X，技术领域涉及：H01L23/525；该发明授权熔丝结构、形成方法及可编程存储器是由刘志拯设计研发完成，并于2021-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本熔丝结构、形成方法及可编程存储器在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种熔丝结构、形成方法及可编程存储器，所述熔丝结构包括：栅极结构，所述栅极结构至少部分形成在衬底的有源区上；第一电极，所述第一电极形成在所述衬底的有源区上，并与所述栅极结构间隔排布；第二电极，所述第二电极至少形成在所述栅极结构的侧面；隔离结构，所述隔离结构形成在所述有源区与所述第二电极之间。本申请实施例有助于减小导电电阻，增大击穿电流，降低熔丝介质层的击穿难度。
本发明授权熔丝结构、形成方法及可编程存储器在权利要求书中公布了：1.一种熔丝结构，包括： 栅极结构，所述栅极结构至少部分形成在衬底的有源区上； 第一电极，所述第一电极形成在所述衬底的有源区上，并与所述栅极结构间隔排布； 第二电极，所述第二电极至少形成在所述栅极结构的侧面； 隔离结构，所述隔离结构形成在所述有源区与所述第二电极之间； 其中，所述栅极结构包括栅极材料层；所述栅极材料层包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层在平行于所述衬底的方向上邻接，所述第一导电层邻接所述第二电极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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