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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利接触结构的制备方法及接触结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116096070B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111286549.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权接触结构的制备方法及接触结构是由辛欣;王景皓设计研发完成，并于2021-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本接触结构的制备方法及接触结构在说明书摘要公布了：本公开提供一种接触结构的制备方法及接触结构。本公开提供的接触结构的制备方法包括：提供一衬底，所述衬底的表面上依次设置第一多晶硅层和第一掩膜层；对所述第一多晶硅层和所述第一掩膜层实施第一刻蚀工艺，形成所述第一掩模层宽度小于所述第一多晶硅层宽度的台阶型结构；以所述第一多晶硅层为掩膜对所述衬底实施第二刻蚀工艺，形成沟槽；在所述沟槽中沉积第二多晶硅层，所述第二多晶硅层顶部高度不高于所述第一掩模层的底部；进行退火工艺，形成接触结构。本公开通过在接触结构的制备过程中采用台阶型结构，改善了多晶硅层中孔隙过多的问题，并通过退火工艺进一步改善多晶硅生长产生的空洞，提高了接触结构的质量，改善了缺陷问题。

本发明授权接触结构的制备方法及接触结构在权利要求书中公布了：1.一种接触结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，在所述衬底的表面形成叠层，所述叠层从下到上包括绝缘层、第三多晶硅预备层、第一牺牲层、第二掩膜层、第二牺牲层、以及第三掩膜层； 刻蚀所述第二牺牲层和所述第三掩膜层，形成第一凹槽； 在所述第一凹槽内形成第三牺牲层，覆盖所述第二掩膜层、所述第二牺牲层以及所述第三掩膜层； 去除部分所述第三牺牲层至与所述第三掩膜层的顶部齐平； 去除所述第二牺牲层和第三掩膜层； 以所述第三牺牲层为掩膜刻蚀所述第二掩膜层、所述第一牺牲层、所述第三多晶硅预备层，形成第二凹槽、第一掩膜层、以及第一多晶硅层； 去除所述第三牺牲层以及所述第二掩膜层； 对所述第一多晶硅层和所述第一掩膜层实施第一刻蚀工艺，形成所述第一掩膜层宽度小于所述第一多晶硅层宽度的台阶型结构； 以所述第一多晶硅层为掩膜对所述衬底实施第二刻蚀工艺，形成沟槽； 在所述沟槽中沉积第二多晶硅层，所述第二多晶硅层顶部高度不高于所述第一掩膜层的底部； 进行退火工艺，形成接触结构。

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