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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116031259B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111258439.0，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及其形成方法是由郑二虎设计研发完成，并于2021-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括衬底、以及位于衬底上的鳍部，衬底包括第一器件区和第二器件区，第一器件区的器件工作电压小于第二器件区的器件工作电压，鳍部沿延伸方向包括沟道区；在第二器件区中，对沟道区的鳍部进行减薄处理；在基底上形成横跨沟道区的鳍部的伪栅结构，包括栅氧化层、以及覆盖栅氧化层的伪栅层；在伪栅层两侧的鳍部中形成源漏掺杂层；在衬底上形成层间介质层，露出伪栅层顶部；去除第一器件区的伪栅结构和第二器件区的伪栅层，形成栅极开口；在栅极开口中形成栅极结构。本发明减小沟道区的鳍部宽度，以增大相邻沟道区的鳍部之间的空间，从而提高栅极结构的形成质量。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，包括第一器件区和第二器件区，所述第一器件区的器件工作电压小于所述第二器件区的器件工作电压； 鳍部，分别位于所述第一器件区和第二器件区的衬底上，沿所述鳍部的延伸方向，所述鳍部包括沟道区、以及位于所述沟道区两侧的非沟道区，部分高度的所述鳍部作为底部鳍部，剩余高度的所述鳍部作为有效鳍部，所述有效鳍部位于所述底部鳍部的顶部，其中，所述第二器件区中沟道区的有效鳍部侧壁相对于同侧的非沟道区的鳍部侧壁向内缩进，所述第二器件区中沟道区的有效鳍部宽度小于非沟道区的鳍部宽度，且所述第一器件区中沟道区的有效鳍部宽度大于所述第二器件区中沟道区的有效鳍部宽度； 隔离层，位于所述鳍部侧部的所述衬底上，所述隔离层覆盖所述底部鳍部的侧壁，且露出所述有效鳍部； 栅极结构，位于所述隔离层上且横跨所述有效鳍部，所述栅极结构包括覆盖所述沟道区的有效鳍部顶部和侧壁的栅介质层、以及覆盖所述栅介质层的栅电极层，所述第二器件区的栅介质层厚度大于所述第一器件区的栅介质层厚度； 侧墙，位于所述栅极结构的两侧并覆盖所述栅极结构的侧壁； 源漏掺杂层，位于所述栅极结构两侧的有效鳍部中，且位于所述侧墙远离所述栅极结构的一侧。

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