华中科技大学徐明获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种导电桥阈值转换器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113921710B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111162238.0，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种导电桥阈值转换器件及其制备方法是由徐明;麦贤良;辜融川;缪向水设计研发完成，并于2021-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种导电桥阈值转换器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种导电桥阈值转换器件及其制备方法，该导电桥阈值转换器件包括半导体衬底及依次设置在所述半导体衬底上的第一金属电极层、功能介质层和第二金属电极层；所述功能介质层包括开关介质层和相变材料层，所述开关介质层用于在电流或电压激励下形成导电丝，所述相变材料层在一定条件下能够通过分相形成两种不同电导率或不同离子渗透率的材料以诱导所述导电丝的生长，而所述开关介质层在该条件下不会发生相变。本发明导电桥阈值转换器件在传统平面堆叠结构的功能介质层中添加一层特殊的相变材料，利用相变材料的分相特性，减少导电丝生长的随机性，抑制活性金属离子的过度注入，从而提高器件的开关性能。
本发明授权一种导电桥阈值转换器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种导电桥阈值转换器件，其特征在于，包括： 半导体衬底及依次设置在所述半导体衬底上的第一金属电极层、功能介质层和第二金属电极层； 所述功能介质层包括开关介质层和相变材料层，所述开关介质层用于在电流或电压激励下形成导电丝，所述相变材料层在制备过程中升温至分相温度，使得所述相变材料层发生分相，形成两种不同电导率或不同离子渗透率的材料以诱导所述导电丝的生长，而所述开关介质层在该条件下不会发生相变。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华中科技大学，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市珞喻路1037号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号